6G 通信电源：HVDC/SST 与图腾柱 PFC 下，SiC 与 GaN 怎么分工

资讯编辑 459 2026-08-25 10:59:14

资讯导读 · 来源：电子发烧友网（原文标题：6G通信电源的拓扑架构与技术发展趋势）

原文从 6G/通信电源 切入：基站与算力侧功耗同步抬升，供电架构正从传统 −48V 并行走向 HVDC（240V/336V，乃至算力侧 800V） 与 SST；拓扑侧反复出现「图腾柱无桥 PFC + LLC」与多电平/DAB 等组合，并把 SiC / GaN 按电压与频段分工写进选型逻辑。

工程师可抓的 3 个决策点

  1. 先定母线与功率段：宏站/算力侧高压链路与皮站/PoL 低压高频链路，器件耐压与频率预算不同——不要用同一颗宽禁带「通吃」。
  2. 650V 交战区逐案权衡：文中提示 ≥1200V 偏 SiC，≤650V 高频偏 GaN；中间段按效率、温升、短路与 EMI 清单评估，而不是只比导通电阻。
  3. 驱动与 EMI 一并进 BOM：高 dv/dt、米勒钳位、退饱和与布局寄生，会直接吃掉拓扑纸面效率——导入前把驱动与安规接口算进验证计划。

原文：https://www.elecfans.com/d/7999213.html

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