AI 数据中心转向 800V HVDC：SiC 与 GaN 各自守哪一段链路-嘉威创盈

AI 数据中心转向 800V HVDC：SiC 与 GaN 各自守哪一段链路

资讯编辑 381 2026-08-23 11:40:36

资讯导读 · 来源：电子发烧友网（英飞凌工业半导体；原文标题：AI 数据中心为何转向 800V HVDC？解析数据中心电源架构与 SiC/GaN 技术趋势）

AI 机柜功率持续爬升后，传统「低电压、大电流」机架供电在铜耗、散热与空间上越来越吃紧。行业讨论正从机架内 PSU 升级，走向 800V HVDC / 固态变压器（SST）集中式高压直流配电——前端更吃高耐压、高效率器件，机柜内仍要高频高功率密度变换。

工程师可抓的 3 个决策点

电压与角色分流：机房侧 / 800V 母线前端多看 SiC（耐压与损耗）；机柜内高频 POL / 电源模块继续评估 GaN——不必二选一。
拓扑跟着功率走：机架功率过百 kW 后，sidecar、三相进线与 SST 方案会改变器件清单；选型要按「你在链路哪一级」而不是只比 RDS(on)。
交期与第二货源：高压架构放量时，SiC/GaN 与硅基功率配套可能同步紧张——BOM 锁定前尽早确认可交付料号。