平湖实验室：8 吋 GaN-on-SiC 增强型 HEMT 工艺平台亮相

资讯编辑 511 2026-08-23 11:40:36

行业快讯 · 来源：半导体产业网（转深圳平湖实验室；2026-08-20）

深圳平湖实验室披露推出全球首个 8 吋 GaN-on-SiC 增强型 HEMT 工艺平台：在 SiC 衬底上外延 GaN，兼顾高频高效与衬底导热 / 晶格匹配优势，面向算力中心、航空航天等高端供电场景。公开材料称已攻关 8 吋外延（翘曲控制）与关键无金工艺，目标是提升良率并降低制造成本。

对应用侧：这是材料与工艺平台进展，量产器件规格与交期仍需后续产品化验证；评估现有 GaN / SiC 分立与模块方案时，可把「衬底路线」作为长期观察项，短期仍按可下载规格书与样品节奏选型。

原文：https://www.casmita.com/news/202608/20/22631.html

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