PI 推出 2200V PowiGaN：高压母线时代的 GaN 电压天花板又抬高了

资讯编辑 235 2026-08-19 08:05:52

行业快讯 · 来源：半导体器件应用网 / 哔哥哔特（Power Integrations 供稿，2026-08-05）

Power Integrations（PI）宣布其 PowiGaN™ 氮化镓技术额定电压提升至 2200V，面向高压数据中心、新能源汽车、可再生能源与高压直流等新一代高压母线架构。官方表述称，该电压等级旨在为高频、高功率密度设计提供更大裕量，并把 GaN 的讨论范围推进到以往更多由 SiC 主导的高压区间。

稿件同时提到：1700V 级 PowiGaN 已用于数据中心辅助电源单级变换；1250V 技术可优化 800V 直流数据中心主功率级的堆叠设计。Yole 分析观点指出，AI 数据中心 800V（及更高）直流母线普及，正推动功率半导体方案迭代。

对工程师的提示：高压 GaN 进来后，评估重点仍是电压裕量、驱动与 EMI、拓扑能否单级化，以及与现有 SiC 方案的系统级取舍——不是简单「用 GaN 换 SiC」。

原文：https://www.big-bit.com/wap/news/405898.html

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