2026 功率半导体路线：SiC、GaN 与先进封装如何分流-嘉威创盈

2026 功率半导体路线：SiC、GaN 与先进封装如何分流

资讯编辑 483 2026-08-19 08:05:52

资讯导读 · 来源：与非网（原文标题：功率半导体市场2026年技术路线图：SiC、GaN、先进封装三分天下）

2026 年功率半导体不再是「谁取代谁」，而是 SiC、GaN、先进封装 三条线同时演进：SiC 在 800V 高压平台继续卷产能与成本，GaN 从快充向车规主驱与 AI 服务器电源渗透，封装则从后端工序变成性能约束。

工程师可抓的 3 个决策点

电压与场景分流：高压大功率（车驱、光伏、大功率逆变）仍多看 SiC；高频高功率密度（适配器、服务器电源前端）优先评估 GaN。
GaN 电压天花板在抬：行业讨论已从消费快充扩展到更高母线与主功率级——选型时要把「电压裕量 + 驱动/EMI」一起算进方案，而不是只比 RDS(on)。
封装与系统同级：银烧结、顶部散热、寄生电感等封装选择，会直接吃掉器件纸面优势；板级验证仍不可省。

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