LLC 初级换成共源共栅碳化硅：加大栅阻，压不住关断变化率

资讯编辑 2920 2026-11-03 09:09:15

行业快讯 · 来源：中电网（原文：详解 Cascode SiC JFET 在 LLC 中的应用；资料来自安森美）

共源共栅碳化硅 JFET 用 0–12V 栅极驱动，导通损耗低、输出电荷小，适合做 LLC 初级。关断时的电压变化率却容易带起振铃。高于谐振频率时初级电流更大，文中举例 750V 器件的开关电流可到 30A 以上。

加大栅极电阻几乎压不住这类器件的关断变化率，因为栅漏电容极小。零电压开关的 LLC 里，更合适的是在漏源之间并联电容，而不是会额外发热的阻容缓冲。以 NTBT023N075CJ4 为例，决定最高变化率的那段输出电容约 160pF；400V 母线、励磁电流峰值 10A 时，估算约 31V/ns。若要压到 20V/ns 或更低，外并电容需要 100pF 或更大。启动、负载阶跃和故障关断的电流往往高于稳态励磁电流，只按额定点决定不加电容，瞬态仍可能超标。

原文：https://design.eccn.com/design_2026103015085327.htm

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本稿为资讯摘要，非全文转载；电容取值以实板波形和规格书为准。

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