700V 氮化镓代工再改一版：单位面积电阻少了四成，料号还没出现

资讯导读 · 来源：半导体产业纵横（原文：新微半导体发布第二代700V GaN工艺平台，单位面积导通电阻降低约40%）

11月2日，上海新微半导体发布第二代 700V 增强型（E-mode）氮化镓代工工艺平台。公司称器件单位面积导通电阻（R_sp）较上一代约降 40%，优值一并改善；外延、栅极、场板和钝化一起调整，用来减弱高压下的电场集中，并改善电流崩塌与栅极可靠性。应用方向写成快充、AI 服务器、新能源汽车、工业电源和 DC-DC。文中没有可下单的成品型号，也没有栅极电荷或送样时间。

工程师可抓的 3 个决策点

1. 少四成是面积效率，不是规格书里的导通电阻：R_sp 把电阻和有源面积绑在一起。没有芯片面积、封装和测试条件，不能直接写进 BOM 替换表。
2. 静态电阻下来了，动态导通仍要单独要数据：高压关断后再开通，表面陷阱会把动态电阻抬高。场板和钝化是冲着这件事，但发布稿没有给出动态 R_DS(on) 对电流和脉宽的曲线。
3. 这是常关型工艺，不是一颗管子：不加栅压应保持关断，便于沿用常见开关时序。客户仍要在这套外延和互连上完成自己的版图。40V 到 700V 是平台覆盖范围，不等于每一档都已有量产料号。

原文：https://www.icviews.cn/news/37332/7

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本稿为资讯摘要，非全文转载；工艺指标以平台说明和客户验证数据为准。