JARWEY · Tideflow · VI

GaN Tier-1 Jarwey｜650V: TP65H150G4PS đo ở 10 V, WM3HA160065E cần 15 V / 0 V

Jarwey · GaN FET 650V / MOSFET SiC

Jarwey là nhà phân phối cấp 1 (Tier-1) cho FET công suất GaN — hỗ trợ chọn mẫu, datasheet, hàng mẫu và thời gian giao.

Ở 650 V, SuperGaN cho adapter và MOSFET SiC cho flyback đều có thể được chào quanh 150 mΩ. Điểm đo không trùng nhau. TP65H150G4PS ghi 150 mΩ điển hình và 180 mΩ tối đa ở VGS = 10 V, ID = 10 A, 25°C. WM3HA160065E ghi 160 mΩ điển hình và 220 mΩ tối đa ở VGS = 15 V, ID = 7 A. Cửa sổ cực cổng khuyến nghị của MOSFET SiC là +15…+18 V khi mở, 0…−5 V khi tắt.

Bài này chỉ làm phép đối chiếu đó. Tắt ở 0 V, điện trở cực cổng, hạt ferrite và điều kiện đo thời gian chuyển mạch của ba FET SuperGaN nằm ở bài mạch cực cổng ngày 6/10. Bảng chia 35/50 mΩ và checklist adapter giữ nguyên ở bài cũ.

Hai mã quanh 150 mΩ, hai điểm phân cực

MãRDS(on) trên datasheetCửa sổ cực cổngDòng và vỏTrang
TP65H150G4PS
SuperGaN cascode 650 V
Renesas Rev.3.00, 25/11/2025		150 điển hình / 180 tối đa mΩ
VGS=10 V, ID=10 A, 25°C
307 mΩ điển hình ở 150°C, cùng phân cực
QG 8 nC điển hình (0→10 V, ID=10 A)		Điện trở dẫn và điện tích cực cổng lấy ở 10 V. VGS tuyệt đối ±20 V. Cascode thường đóng, không phải linh kiện tắt bằng điện áp âmTO-220. PD=83 W và ID=16 A ở TC=25°C; ID=10 A ở 100°C852
WM3HA160065E
MOSFET SiC 650 V, G3
Version 3.0, TO-252-2L		160 điển hình / 220 tối đa mΩ ở VGS=15 V, ID=7 A
130 điển hình / 180 tối đa mΩ ở VGS=18 V, ID=7 A
QG 12.6 nC điển hình (0→15 V, ID=7 A)		Khuyến nghị +15…+18 V / 0…−5 V. Tuyệt đối −10 / +23 V. Datasheet ghi 15 V / 0 V đi với phần lớn bộ điều khiển flybackPD=95 W (TC=25°C, TJ=175°C). ID=20 A ở VGS=15 V và 25°C; 14 A ở 100°C6

TP65H035G4WS và TP65H050G4WS cũng ghi RDS(on) ở VGS = 10 V (điển hình 35 mΩ và 50 mΩ). Cách chia dòng nằm ở bài totem-pole. Đừng suy mạch cực cổng của hai mã đó từ bảng này.

Đừng xếp 150 mΩ cạnh 160 mΩ

Hai giá trị điển hình cách nhau khoảng 10 mΩ, một bên đo ở 10 V / 10 A, bên kia ở 15 V / 7 A. Ở VGS = 18 V, giá trị điển hình của SiC xuống 130 mΩ. Đó vẫn không phải căn cứ để thay thế không kiểm chứng với số GaN đo ở 10 V. Trên FET GaN, cùng phân cực 10 V, giá trị điển hình lên 307 mΩ ở 150°C — điểm nóng để một dòng riêng.

Rail driver đi theo linh kiện. Mức mở 10 V đến 12 V dùng cho SuperGaN chưa phải cửa sổ +15…+18 V của WM3HA160065E. Rail âm chuẩn bị cho SiC cũng không mặc định cắm sang cascode này; tắt ở 0 V và điện trở cực cổng nằm ở bài 6/10. Driver phía thấp một rail dương với MOSFET 1200 V ở −5 V / +18 V là câu hỏi khác: COS4421SR và WM2HA020120L.

Bài cũ giữ cửa vào sơ đồ

Sáu mục trước khi layout

  1. Khớp điểm đo: chỉ so khi cùng VGS, cùng dòng và cùng nhiệt độ. 150 mΩ (10 V, 10 A) với 160 mΩ (15 V, 7 A) không phải kết luận.
  2. Biên độ mở: hàng điện trở dẫn của FET GaN này ở 10 V. MOSFET SiC cần +15…+18 V. Xác nhận rail driver GaN 10 V đến 12 V có thực sự ra được 15 V hoặc 18 V hay không.
  3. Mức tắt: cửa sổ của WM3HA160065E gồm 0…−5 V. SuperGaN bố trí tắt ở 0 V. Đừng bắt rail âm sang thẳng. Điện trở cực cổng và hạt ferrite nằm ở bài 6/10.
  4. Vỏ: TO-220 với TO-252-2L. Khoảng cách chân, cách điện và tản nhiệt không dùng chung. PD và ID trong bảng mỗi mã giữ điều kiện của mã đó.
  5. RDS(on) động và phiên bản: TP65H150 kiểm tra điện trở dẫn động lúc sản xuất. Dùng 307 mΩ điển hình ở 150°C. MOSFET SiC là Version 3.0. Đọc PDF trên trang sản phẩm trước khi đặt.
  6. Hàng mẫu: datasheet tải trên trang sản phẩm. Cần bản lưu, hàng mẫu hoặc thời gian giao thì liên hệ Jarwey, và chỉ chốt BOM sau kết quả bàn thử.

Datasheet và hàng mẫu

Có thể đặt die wafer cùng thông số cho MOSFET SiC này.

Jarwey · kerry.w@jarwey.cn · Liên hệ.

TP65H150G4PS · WM3HA160065E