CETC一级代理商嘉威创盈｜650V碳化硅MOSFET：WM3HA160065E封面160mΩ是15V典型值
嘉威创盈是中国电科国基南方集团有限公司（中科院55所）碳化硅功率器件一级代理商，可协助选型方案、规格书、样品小批量与交期协同。中国电科（CETC）为集团标识，国基南方为其下级单位。
650V 碳化硅 MOSFET 的封面导通电阻，不要沿用 900V 那条读法。WM3HA160065E 封面印的是 160 mΩ，规格书 Version 3.0 电气特性里，这个数是 VGS=15V、ID=7A、TC=25℃ 的典型值，最大 220 mΩ。同一行的 18V 典型是 130 mΩ（最大 180 mΩ）。WM3HA300065E 封面 300 mΩ 同样落在 15V、ID=5A 的典型格，18V 典型是 250 mΩ。
WM3HA330090E 相反：封面 250 mΩ 是 18V 典型值。那篇已发在 650V 与 900V 封面导通电阻对照，本文不重写。反激钳位、体二极管和 TO-252 热路见 已发热预算文，这里只核对封面毫欧落在哪一格栅压。
封面毫欧落在哪一行
未另行注明时，条件为规格书电气特性表的 TC=25℃。175℃ 行单独列出。最大栏空白就保持空白，不要用 25℃ 的最大去填。
| 型号 | 封面 RDS(on) | 封面数对应的行 | 另一档栅压（25℃） | 15V、175℃ 典型 |
|---|---|---|---|---|
| WM3HA160065E | 160 mΩ | 15V，ID=7A：典型 160 / 最大 220 mΩ | 18V，ID=7A：典型 130 / 最大 180 mΩ | 210 mΩ，最大栏空白 |
| WM3HA300065E | 300 mΩ | 15V，ID=5A：典型 300 / 最大 420 mΩ | 18V，ID=5A：典型 250 / 最大 350 mΩ | 370 mΩ，最大栏空白 |
| WM3HA330090E（对照，不展开） | 250 mΩ | 18V 典型，不是 15V | 15V 典型 330 mΩ | 见已发文 |
两颗 650V 的 Features 都写了 15V / 0V，兼容多数反激控制器。这句说明驱动可以按 15V 评估，不表示封面毫欧可以改抄 18V 那一格。用 130 mΩ 或 250 mΩ 去做 15V 驱动下的导通损耗，会把损耗算小。
封面电流也不是测导通电阻的电流
| 型号 | 封面 ID@25℃ | 连续电流里对得上的一格 | RDS(on) 测试电流 |
|---|---|---|---|
| WM3HA160065E | 20 A | VGS=15V、TC=25℃ 为 20 A；18V、25℃ 为 21 A | 7 A，不是 20 A |
| WM3HA300065E | 10 A | VGS=15V、TC=25℃ 为 10 A；18V、25℃ 为 11 A | 5 A，不是 10 A |
栅压绝对最大是 −10V / +23V，推荐工作点是 −5…0V / +15…+18V。连续电流在 TC=100℃ 会再降一档：160065E 在 15V 为 14 A，300065E 在 15V 为 7 A。封装都是 TO-252-2L，G3。
抄进损耗表之前的 7 项
- 先对栅压行：160065E、300065E 的封面毫欧是 15V 典型；不要套用 330090E「封面 = 18V」。
- 再对测试电流：160 mΩ 行是 7 A，300 mΩ 行是 5 A，不要用封面安数代入。
- 最大与典型分开：15V 下最大分别是 220 mΩ、420 mΩ。预算若只留典型，量产离散会直接进损耗。
- 175℃ 单独占一行：15V 典型分别为 210 mΩ、370 mΩ，最大栏空白，不要补数。
- 18V 行可以并存：驱动若确实输出 18V，改用 130 mΩ / 250 mΩ 典型，并核对最大 180 mΩ / 350 mΩ。
- 15V / 0V 只说明可评估：仍要核控制器栅压幅度与关断电平，不是免验证替换。
- 版本：以上取自 Version 3.0。更新版规格书请联络嘉威创盈索取，不要向原厂渠道另写一套数字。
产品页与规格书
- WM3HA160065E（650V / 封面 160 mΩ / TO-252-2L）· 规格书 PDF
- WM3HA300065E（650V / 封面 300 mΩ / TO-252-2L）· 规格书 PDF
- 900V 对照：WM3HA330090E
支持同等规格晶圆片的订购。
把母线电压、实际栅压（15V 还是 18V）和电流点发给嘉威创盈：kerry.w@jarwey.cn · 联系我们。可协助规格书核对、样品与小批量、交期协同。
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