Nhà phân phối cấp 1 CETC — Jarwey｜MOSFET SiC 650V và SiC 1200V: WM3HA300065E với WM2HA020120L theo bus DC

Jarwey là nhà phân phối cấp 1 MOSFET SiC của CETC Guiji Nanfang (Viện 55). CETC là dấu hiệu tập đoàn; Guiji Nanfang là đơn vị trực thuộc. Chọn mẫu, datasheet, hàng mẫu, lô nhỏ và thời gian giao đều qua Jarwey.

Câu «đổi một MOSFET SiC» chưa dùng được khi điện áp bus DC và nguồn gate vẫn dính vào nhau. Bus khoảng 400 V, dòng khoảng 10 A ở tầng công suất trung bình: mở G3 650 V WM3HA300065E (TO-252-2L). Datasheet ghi 15 V / 0 V tương thích phần lớn controller flyback. Bus khoảng 700–800 V, dòng lên hàng chục ampe ở biến tần quang điện, lưu trữ hoặc tầng cao áp OBC: mở G2 1200 V WM2HA020120L (TO-247-4, gate khuyến nghị −5 V / +18 V, chân source cho mạch lái). Hai mã không cùng bậc công suất và không đổi chân cho nhau.

Bài đối chiếu siêu kết nối 15 V / 0 V, bài kẹp flyback với nhiệt TO-252, và checklist biến tần của WM2HA020120L đã có. Bài này không viết lại. Thông số lấy theo datasheet. Trang sản phẩm chưa có PDF thì liên hệ Jarwey để nhận datasheet.

Ảnh chỉ là WM2HA020120L vỏ TO-247-4. Mã 650 V và 900 V là TO-252-2L; không dùng ảnh xuyên lỗ cho hai mã đó.

Ghi đỉnh bus trước, rồi chọn VDS

Chỉnh lưu ba pha 380 V cho bus DC khoảng 540 V trước khi cộng xung. Đó không phải case PFC một pha 400 V, nên không đặt vào mã 650 V theo thói quen. Biên dư lấy từ datasheet và tiêu chuẩn cách điện của dự án; bài này không đưa một tỷ lệ phần trăm chung. Mã flyback TO-252 nhỏ hơn là WM3HA160065E (650 V / 160 mΩ / 20 A); kẹp và nhiệt nằm ở bài flyback. Checklist cầu biến tần của mã 1200 V nằm ở bài biến tần. Bảng siêu kết nối nằm ở bài đối chiếu và không mang sang WM2HA020120L.

Chân thứ tư của TO-247-4 là source cho mạch lái, để dòng công suất không kéo điện áp gate qua điện cảm source chung. Vòng gate trở về chân đó; dòng tải đi chân source công suất. Cách đi dây theo datasheet Jarwey cung cấp. Trang sản phẩm ghi QG điển hình khoảng 6,3 nC cho mã 650 V và 900 V. Bài này không điền điện tích gate cho mã 1200 V khi trang sản phẩm chưa liệt kê.

Checklist trước khi chốt mã

1. Đỉnh bus: ghi điện áp DC cao nhất kể cả xung. Khoảng 400 V thì mở WM3HA300065E. Biên 650 V đã chật mà dòng vẫn trung bình thì mở WM3HA330090E. Khoảng 700–800 V thì mở WM2HA020120L.
2. Dòng: hai mã TO-252 khoảng 10 A và 11 A ở 25°C, gate 15 V. Mã 1200 V là 100 A ở 25°C. Không ghép song song TO-252 thành nhánh biến tần; song song nằm ngoài bài này.
3. Nguồn gate: chỉ bàn bỏ nguồn âm khi datasheet ghi 15 V / 0 V. Cầu nửa, dv/dt cao: trang sản phẩm vẫn yêu cầu kiểm Miller và layout, khi cần thì dùng thiên áp âm hoặc kẹp Miller chủ động. WM2HA020120L thiết kế ở −5 V / +18 V.
4. Vỏ: TO-252-2L và TO-247-4 không chung footprint. Chân thứ tư không phải chân để trống.
5. Source Kelvin: mạch lái và source công suất tách ở vỏ. Có được nối ngắn ở xa hay không là mục datasheet, không mặc định trong bảng đối chiếu.
6. Bài cũ giữ nguyên chủ đề: thay siêu kết nối, ba ngưỡng đưa vào sản xuất, kẹp flyback với nhiệt TO-252, checklist tám bước biến tần 1200 V.
7. Hàng mẫu: liên hệ Jarwey để nhận datasheet, lô nhỏ và lịch giao. Có thể đặt wafer die cùng quy cách.

Datasheet và liên hệ

• WM3HA300065E MOSFET SiC 650 V
• WM3HA330090E MOSFET SiC 900 V
• WM2HA020120L MOSFET SiC 1200 V

Jarwey · Nhà phân phối cấp 1 MOSFET SiC CETC · kerry.w@jarwey.cn · Liên hệ.

Có thể đặt wafer die cùng quy cách.