电子元器件资讯中心_半导体行业快讯与技术文章_第17页-嘉威创盈
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  • 电流传感器精度:灵敏度和零点偏移谁在主导

    [置顶] 电流传感器精度:灵敏度和零点偏移谁在主导

    行业快讯 • 2026-09-15 09:43:39

    电流传感器灵敏度与偏移快讯

  • AI 芯片电源难测:SI 与 PI 已经绑在一起

    [置顶] AI 芯片电源难测:SI 与 PI 已经绑在一起

    第三代半导体 • 2026-09-15 09:43:39

    AI芯片电源完整性快讯

  • SiC 要不要负压关断:先分单管还是桥臂

    [置顶] SiC 要不要负压关断:先分单管还是桥臂

    第三代半导体 • 2026-09-15 09:43:39

    SiC负压关断按拓扑分流导读

  • 从帕到兆帕的压力传感:前端运放量程不能只按满量程算

    [置顶] 从帕到兆帕的压力传感:前端运放量程不能只按满量程算

    行业快讯 • 2026-09-14 09:38:45

    Pa到MPa压力传感快讯

  • 机器人关节连接器:15A 电源与 1Gbps 挤进 5.65mm

    [置顶] 机器人关节连接器:15A 电源与 1Gbps 挤进 5.65mm

    行业快讯 • 2026-09-14 09:38:45

    机器人关节混合连接器快讯

  • 释放 GaN 先过驱动关:误导通、负压关断与自举过压

    [置顶] 释放 GaN 先过驱动关:误导通、负压关断与自举过压

    第三代半导体 • 2026-09-14 09:38:45

    GaN驱动误导通与自举过压导读

  • 车规功率电感扩规格:ADAS 电源要把磁件与开关管同验

    [置顶] 车规功率电感扩规格:ADAS 电源要把磁件与开关管同验

    行业快讯 • 2026-09-12 07:39:10

    车规功率电感扩规格快讯

  • 500V 集成三相驱动:风扇泵阀何时不必上分立宽禁带

    [置顶] 500V 集成三相驱动:风扇泵阀何时不必上分立宽禁带

    第三代半导体 • 2026-09-12 07:39:10

    500V集成三相电机驱动快讯

  • 光伏电弧与功率噪声:GaN、信号链、边缘检测要同一张台架

    [置顶] 光伏电弧与功率噪声:GaN、信号链、边缘检测要同一张台架

    第三代半导体 • 2026-09-12 07:39:10

    功率噪声与电弧检测导读

  • 功率 GaN 份额抬头后:系统厂更该盯电压档与第二货源

    [置顶] 功率 GaN 份额抬头后:系统厂更该盯电压档与第二货源

    第三代半导体 • 2026-09-11 10:17:05

    功率GaN份额与选型快讯

  • AI 基础设施:800V DC 从电网到栅极在卡什么

    [置顶] AI 基础设施:800V DC 从电网到栅极在卡什么

    第三代半导体 • 2026-09-11 10:17:05

    TI 800V AI基础设施快讯

  • 运放失调与增益误差:先算预算,再决定校准还是换料

    [置顶] 运放失调与增益误差:先算预算,再决定校准还是换料

    行业快讯 • 2026-09-11 10:17:05

    运放失调与增益误差校准导读

  • 电源全链路:从 DrMOS 到高耐压 SiC,卡点常在驱动与采样

    [置顶] 电源全链路:从 DrMOS 到高耐压 SiC,卡点常在驱动与采样

    第三代半导体 • 2026-09-10 10:55:49

    电源全链路DrMOS到SiC快讯

  • 600V 超结 MOSFET:体二极管与顶部散热比 RDS(on) 更早卡点

    [置顶] 600V 超结 MOSFET:体二极管与顶部散热比 RDS(on) 更早卡点

    第三代半导体 • 2026-09-10 10:55:49

    600V超结体二极管与散热快讯

  • SST 高频利兹线:普通民用线为何扛不住陡脉冲满载

    [置顶] SST 高频利兹线:普通民用线为何扛不住陡脉冲满载

    第三代半导体 • 2026-09-10 10:55:49

    SST高频利兹线选型导读

  • 大电流逆变器电感:FeSi 磁粉芯与锰锌铁氧体怎么对照

    [置顶] 大电流逆变器电感:FeSi 磁粉芯与锰锌铁氧体怎么对照

    第三代半导体 • 2026-09-07 11:52:00

    大电流逆变器电感磁芯快讯

  • 交流耦合储能:母线 700~1500V 时开关耐压怎么分档

    [置顶] 交流耦合储能:母线 700~1500V 时开关耐压怎么分档

    第三代半导体 • 2026-09-07 11:52:00

    交流耦合储能开关分档快讯

  • 仿人机器人关节与激光驱动:GaN 该放在哪一段功率链

    [置顶] 仿人机器人关节与激光驱动:GaN 该放在哪一段功率链

    第三代半导体 • 2026-09-07 11:52:00

    仿人机器人GaN功率链导读

  • SEMI:2026Q2 全球半导体设备出货同比 +23%

    [置顶] SEMI:2026Q2 全球半导体设备出货同比 +23%

    行业快讯 • 2026-09-06 09:30:14

    SEMI设备出货Q2快讯

  • PCIM 罗姆观察:功率管与模拟外设要同一验证包

    [置顶] PCIM 罗姆观察:功率管与模拟外设要同一验证包

    第三代半导体 • 2026-09-06 09:30:14

    罗姆PCIM功率与模拟快讯

  • 电抗器气隙磁通展宽:损耗与电感为何对不上台架

    [置顶] 电抗器气隙磁通展宽:损耗与电感为何对不上台架

    第三代半导体 • 2026-09-06 09:30:14

    电抗器气隙磁通展宽导读

  • 800V 高压连接器:CTI 为何从材料表走到前台

    [置顶] 800V 高压连接器:CTI 为何从材料表走到前台

    行业快讯 • 2026-09-04 10:49:37

    高压连接器CTI快讯

  • ZVS 软开关:怎样从 Coss 曲线算出 Eoss

    [置顶] ZVS 软开关:怎样从 Coss 曲线算出 Eoss

    第三代半导体 • 2026-09-04 10:49:37

    软开关Eoss计算快讯

  • 半桥开通电流尖峰:先查体二极管 Qrr,再改死区

    [置顶] 半桥开通电流尖峰:先查体二极管 Qrr,再改死区

    第三代半导体 • 2026-09-04 10:49:37

    半桥体二极管Qrr开通尖峰导读

  • 读懂 MOSFET 的 RDS(on):别只盯 25℃ 标称

    [置顶] 读懂 MOSFET 的 RDS(on):别只盯 25℃ 标称

    第三代半导体 • 2026-09-03 11:44:22

    MOSFET RDS(on)读规格书快讯

  • PCIM 看储能:功率电子比电池模组更抢镜

    [置顶] PCIM 看储能:功率电子比电池模组更抢镜

    第三代半导体 • 2026-09-03 11:44:22

    PCIM储能功率电子快讯

  • 开关电源变压器改绕序降漏感:单体合格为何整机批量失效

    [置顶] 开关电源变压器改绕序降漏感:单体合格为何整机批量失效

    第三代半导体 • 2026-09-03 11:44:22

    变压器绕序变更批量失效导读

  • Cadence 超级智能体:EDA 提效不等于器件免验证

    [置顶] Cadence 超级智能体:EDA 提效不等于器件免验证

    行业快讯 • 2026-09-02 10:15:31

    Cadence AI EDA 快讯

  • 安世恢复供货并推12英寸:成熟功率器件价格逻辑在变

    [置顶] 安世恢复供货并推12英寸:成熟功率器件价格逻辑在变

    第三代半导体 • 2026-09-02 10:15:31

    安世12英寸与价格快讯

  • 固态变压器工程验证期:功率半导体与高频磁件先卡哪?

    [置顶] 固态变压器工程验证期:功率半导体与高频磁件先卡哪?

    第三代半导体 • 2026-09-02 10:15:31

    SST工程验证与磁件瓶颈导读

  • EV 牵引逆变器电流传感:800V 下精度与体积怎么权衡

    [置顶] EV 牵引逆变器电流传感:800V 下精度与体积怎么权衡

    行业快讯 • 2026-08-31 09:09:32

    EV牵引逆变器电流传感快讯

  • SiC MOSFET 准静态 C-V:电容测不稳会拖慢逆变打样

    [置顶] SiC MOSFET 准静态 C-V:电容测不稳会拖慢逆变打样

    第三代半导体 • 2026-08-31 09:09:32

    SiC C-V测量快讯

  • GaN 代工洗牌下,系统厂怎么写第二货源与场景分工

    [置顶] GaN 代工洗牌下,系统厂怎么写第二货源与场景分工

    第三代半导体 • 2026-08-31 09:09:32

    GaN代工格局与第二货源导读

  • SEMI:全球封装测试厂数据库扩容,化合物与 AI/HPC 后端被单独点名

    [置顶] SEMI:全球封装测试厂数据库扩容,化合物与 AI/HPC 后端被单独点名

    行业快讯 • 2026-08-29 11:12:42

    SEMI封装测试厂数据库快讯

  • AI 数据中心电源放量:800V HVDC 正在改写机柜供电选型权重

    [置顶] AI 数据中心电源放量:800V HVDC 正在改写机柜供电选型权重

    第三代半导体 • 2026-08-29 11:12:42

    AI数据中心电源与800V快讯

  • 磁芯测不准,高频高功率电源就选不准:三座测试大山怎么破

    [置顶] 磁芯测不准,高频高功率电源就选不准:三座测试大山怎么破

    第三代半导体 • 2026-08-29 11:12:42

    磁芯高频高功率测试导读

  • 西门子:用智能体 AI 压缩芯片与 PCB 验证闭环

    [置顶] 西门子:用智能体 AI 压缩芯片与 PCB 验证闭环

    行业快讯 • 2026-08-28 17:08:58

    西门子智能体EDA快讯

  • 2.5kW 图腾柱无桥 PFC 案例:GaN 导入要把驱动与波形写进清单

    [置顶] 2.5kW 图腾柱无桥 PFC 案例:GaN 导入要把驱动与波形写进清单

    第三代半导体 • 2026-08-28 17:08:58

    图腾柱GaN PFC案例快讯

  • SiC 功率模块装机榜:国产份额抬头后,工程师更该盯封装与量产一致性

    [置顶] SiC 功率模块装机榜:国产份额抬头后,工程师更该盯封装与量产一致性

    第三代半导体 • 2026-08-28 17:08:58

    SiC功率模块TOP10导读

  • 英特尔 × 蓝思:玻璃基板先进封装合作再抬热度

    [置顶] 英特尔 × 蓝思:玻璃基板先进封装合作再抬热度

    行业快讯 • 2026-08-27 14:27:31

    英特尔蓝思玻璃基板封装快讯

  • 安防变焦马达驱动:微步进与 EMI 被重新摆上验证台

    [置顶] 安防变焦马达驱动:微步进与 EMI 被重新摆上验证台

    行业快讯 • 2026-08-27 14:27:31

    瑞盟步进驱动与EMI快讯

  • 新能源重卡充换电组网:磁元件与功率器件要一起进预算

    [置顶] 新能源重卡充换电组网:磁元件与功率器件要一起进预算

    第三代半导体 • 2026-08-27 14:27:31

    新能源重卡充换电与磁元件导读

  • 800V 平台上的绝缘监测:干簧继电器为何仍被点名

    [置顶] 800V 平台上的绝缘监测:干簧继电器为何仍被点名

    行业快讯 • 2026-08-26 11:12:17

    EV干簧继电器绝缘监测快讯

  • GE Vernova 推中压 UPS:AI 工厂供电保护从低压堆叠往上走

    [置顶] GE Vernova 推中压 UPS:AI 工厂供电保护从低压堆叠往上走

    行业快讯 • 2026-08-26 11:12:17

    GE Vernova中压UPS快讯

  • GaN 冲上 2200V 之后:高压母线上该怎么重新划分 SiC 与 GaN

    [置顶] GaN 冲上 2200V 之后:高压母线上该怎么重新划分 SiC 与 GaN

    第三代半导体 • 2026-08-26 11:12:17

    GaN 2200V与SiC边界导读

  • SST 不止算力侧:构网型台区储能被点名为下一增长观察点

    [置顶] SST 不止算力侧:构网型台区储能被点名为下一增长观察点

    第三代半导体 • 2026-08-25 10:59:14

    SST与构网型台区储能快讯

  • GaN 功率赛道:价格战与代工稀缺并行,供应链备份被重新摆上台面

    [置顶] GaN 功率赛道:价格战与代工稀缺并行,供应链备份被重新摆上台面

    第三代半导体 • 2026-08-25 10:59:14

    GaN代工与竞争格局快讯

  • 6G 通信电源:HVDC/SST 与图腾柱 PFC 下,SiC 与 GaN 怎么分工

    [置顶] 6G 通信电源:HVDC/SST 与图腾柱 PFC 下,SiC 与 GaN 怎么分工

    第三代半导体 • 2026-08-25 10:59:14

    6G通信电源与SiC/GaN分工导读

  • 数字隔离器新品观察:爬电距离与集成隔离电源被一并点名

    [置顶] 数字隔离器新品观察:爬电距离与集成隔离电源被一并点名

    行业快讯 • 2026-08-24 10:27:42

    数字隔离器爬电与隔离电源快讯

  • SEMI:玻璃核心基板成为先进封装下一阶段观察点

    [置顶] SEMI:玻璃核心基板成为先进封装下一阶段观察点

    行业快讯 • 2026-08-24 10:27:42

    SEMI玻璃核心基板快讯

  • 华东数字电源峰会:AI 电源、光储充与 800V 三代半被放进同一张议程

    [置顶] 华东数字电源峰会:AI 电源、光储充与 800V 三代半被放进同一张议程

    第三代半导体 • 2026-08-24 10:27:42

    华东数字电源峰会导读

  • 平湖实验室:8 吋 GaN-on-SiC 增强型 HEMT 工艺平台亮相

    [置顶] 平湖实验室:8 吋 GaN-on-SiC 增强型 HEMT 工艺平台亮相

    第三代半导体 • 2026-08-23 11:40:36

    GaN-on-SiC 8吋工艺快讯

  • 国产 8 英寸 SiC:能量产之后,下一步看良率与成本

    [置顶] 国产 8 英寸 SiC:能量产之后,下一步看良率与成本

    第三代半导体 • 2026-08-23 11:40:36

    国产8英寸SiC产业化快讯

  • AI 数据中心转向 800V HVDC:SiC 与 GaN 各自守哪一段链路

    [置顶] AI 数据中心转向 800V HVDC:SiC 与 GaN 各自守哪一段链路

    第三代半导体 • 2026-08-23 11:40:36

    800V HVDC 与 SiC/GaN 角色导读

  • 桥式电路 SiC 替换超结:性能好算,驱动与布局不能省

    [置顶] 桥式电路 SiC 替换超结:性能好算,驱动与布局不能省

    第三代半导体 • 2026-08-21 09:20:14

    桥式SiC替换超结注意点

  • 650V SiC 替代超结:行业在谈成本下探,落地仍看驱动门槛

    [置顶] 650V SiC 替代超结:行业在谈成本下探,落地仍看驱动门槛

    第三代半导体 • 2026-08-21 09:20:14

    SiC替代超结驱动力快讯

  • SEMI:2028 年全球半导体设备销售额有望达 2295 亿美元

    [置顶] SEMI:2028 年全球半导体设备销售额有望达 2295 亿美元

    行业快讯 • 2026-08-20 16:51:20

    SEMI 设备市场预测快讯

  • 阳光电源等披露多个 SiC SST 订单:算力中心与充电站加速落地

    [置顶] 阳光电源等披露多个 SiC SST 订单:算力中心与充电站加速落地

    第三代半导体 • 2026-08-20 16:51:20

    SiC SST 订单快讯

  • 功率半导体第三波涨价:AI 800VDC 正在改写交期与选型权重

    [置顶] 功率半导体第三波涨价:AI 800VDC 正在改写交期与选型权重

    第三代半导体 • 2026-08-20 16:51:20

    功率器件涨价与 800VDC 选型导读

  • SEMI:2026 年二季度全球硅晶圆出货量同比增长 7.4%

    [置顶] SEMI:2026 年二季度全球硅晶圆出货量同比增长 7.4%

    行业快讯 • 2026-08-19 08:05:52

    SEMI 2026Q2 硅晶圆出货快讯

  • PI 推出 2200V PowiGaN:高压母线时代的 GaN 电压天花板又抬高了

    [置顶] PI 推出 2200V PowiGaN:高压母线时代的 GaN 电压天花板又抬高了

    第三代半导体 • 2026-08-19 08:05:52

    PI 2200V GaN 技术快讯摘要

  • 2026 功率半导体路线:SiC、GaN 与先进封装如何分流

    [置顶] 2026 功率半导体路线:SiC、GaN 与先进封装如何分流

    第三代半导体 • 2026-08-19 08:05:52

    SiC/GaN/封装三分天下路线导读

  • COSINE一级代理商嘉威创盈|COSINE 替代选型表:5 款运放/电源对标 ADI/TI/Microchip

    [置顶] COSINE一级代理商嘉威创盈|COSINE 替代选型表:5 款运放/电源对标 ADI/TI/Microchip

    国产替代方案 • 2026-07-20 15:30:43

    COSINE五款替代选型表

  • 多通道高压模拟开关选型,别只盯着耐压看——五个比电压更关键的参数

    多通道高压模拟开关选型,别只盯着耐压看——五个比电压更关键的参数

    行业快讯 • 2026-06-30 11:19:30

    引言 在高电压模拟信号链路中,如何用有限数量的发射和接收通道驱动成百上千路传感器,是电子系统设计中的一个经典难题。多通道高压模拟开关正是解决这个问题的核心器件——它能在数十伏甚至上百伏的电压范围内,精

    高压模拟开关 医疗超声IC 导通电阻平坦度 电源架构 模拟IC选型 多通道模拟开关
  • 高压脉冲驱动芯片怎么选?五个参数、三代半导体与工程落地路径

    高压脉冲驱动芯片怎么选?五个参数、三代半导体与工程落地路径

    行业快讯 • 2026-06-30 11:19:04

    高压脉冲驱动芯片的技术内涵 高压脉冲驱动芯片是一类专用集成电路,其核心任务是将控制器输出的低压逻辑信号(如3.3V或5V CMOS电平)转换为具有足够电压幅值、电流能力和边沿速度的高压脉冲,从而直接或

    脉冲功率 GaN驱动 选型指南 高压脉冲驱动芯片 栅极驱动 半桥驱动芯片
  • DIN导轨接线端子怎么选、怎么装?电气工程师的实践指南

    DIN导轨接线端子怎么选、怎么装?电气工程师的实践指南

    行业快讯 • 2026-06-30 11:18:26

    DIN导轨接线端子怎么选、怎么装?电气工程师的实践指南 什么是DIN导轨接线端子? DIN导轨接线端子(DIN Rail Terminal Block)是一种模块化、绝缘的电气连接组件,专门设计用于安

    电气连接器 接线端子选型 控制柜布线 端子安装 DIN导轨接线端子 工业电气
  • 医疗超声高压发射芯片怎么选?从技术参数到国产替代的落地路径

    医疗超声高压发射芯片怎么选?从技术参数到国产替代的落地路径

    行业快讯 • 2026-06-30 11:18:07

    医疗超声高压发射芯片怎么选?从技术参数到国产替代的落地路径 医疗超声高压发射芯片怎么选?从技术参数到国产替代的落地路径 引言:超声影像的"心脏"——高压发射芯片 在医疗超声成像系统中,有一

    元器件选型 国产替代 医疗超声 超声AFE 高压发射芯片 脉冲发生器
  • SiC Power MOSFET落地路径:从材料优势到工程选型的关键步骤

    SiC Power MOSFET落地路径:从材料优势到工程选型的关键步骤

    行业快讯 • 2026-06-30 11:11:33

    SiC Power MOSFET:从材料优势到工程落地,碳化硅功率器件的关键逻辑 引言 在新能源汽车、光伏储能和工业电源等场景中,系统效率每提升一个百分点,都意味着可观的能量节约。这一需求正在推动碳化

    第三代半导体 SiC MOSFET 功率器件 光伏逆变器 新能源汽车 碳化硅(SiC)
  • 高频超声怎么用?从皮肤诊断到芯片检测的实践路径

    高频超声怎么用?从皮肤诊断到芯片检测的实践路径

    行业快讯 • 2026-06-29 00:15:35

    高频超声:从诊断成像到工业检测的关键技术路径 在医疗诊断和工业检测领域,有一个技术参数正在重新定义"看得多清楚"的上限——高频超声。 传统超声设备的工作频率大多在 2-10MHz 之间,能满足常规

    国产替代 超声诊断 工业无损检测 高频超声 超声换能器 半导体检测
  • 从SGM3714到MP4816A:国产高压模拟开关的落地选型与实践

    从SGM3714到MP4816A:国产高压模拟开关的落地选型与实践

    行业快讯 • 2026-06-29 00:15:27

    从SGM3714到MP4816A:国产高压模拟开关的落地选型与实践 从SGM3714到MP4816A:国产高压模拟开关的落地选型与实践 在模拟信号链设计中,国产高压模拟开关正在成为越来

    工业控制 医疗超声 高压模拟开关 国产芯片 模拟开关 电子元器件
  • SUPU接线端子怎么选?四种连接技术与五大场景的选型框架

    SUPU接线端子怎么选?四种连接技术与五大场景的选型框架

    行业快讯 • 2026-06-29 00:12:32

    SUPU接线端子怎么选?四种连接技术与五大场景的选型框架 引言 在工业电气连接领域,接线端子的可靠性与选型合理性直接影响整个控制系统的长期运行安全。SUPU terminal block(

    工业连接器选型 速普接线端子 轨装接线端子 SUPU接线端子 SUPU终端块 弹簧连接技术
  • SiC MOSFET选型与设计实践:从PFC拓扑到800V电驱的三个关键考量

    SiC MOSFET选型与设计实践:从PFC拓扑到800V电驱的三个关键考量

    行业快讯 • 2026-06-29 00:12:14

    硅基功率器件的天花板:为什么SiC MOSFET成为必选项 功率半导体行业正在经历一场材料革命。以碳化硅(SiC)为代表的宽禁带半导体,正在从实验室走向大规模商用,尤其以SiC MOSFET为核心器件

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