电子元器件资讯中心_半导体行业快讯与技术文章_第15页-嘉威创盈
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  • 电流传感器精度:灵敏度和零点偏移谁在主导

    [置顶] 电流传感器精度:灵敏度和零点偏移谁在主导

    行业快讯 • 2026-09-15 09:43:39

    电流传感器灵敏度与偏移快讯

  • AI 芯片电源难测:SI 与 PI 已经绑在一起

    [置顶] AI 芯片电源难测:SI 与 PI 已经绑在一起

    第三代半导体 • 2026-09-15 09:43:39

    AI芯片电源完整性快讯

  • SiC 要不要负压关断:先分单管还是桥臂

    [置顶] SiC 要不要负压关断:先分单管还是桥臂

    第三代半导体 • 2026-09-15 09:43:39

    SiC负压关断按拓扑分流导读

  • 从帕到兆帕的压力传感:前端运放量程不能只按满量程算

    [置顶] 从帕到兆帕的压力传感:前端运放量程不能只按满量程算

    行业快讯 • 2026-09-14 09:38:45

    Pa到MPa压力传感快讯

  • 机器人关节连接器:15A 电源与 1Gbps 挤进 5.65mm

    [置顶] 机器人关节连接器:15A 电源与 1Gbps 挤进 5.65mm

    行业快讯 • 2026-09-14 09:38:45

    机器人关节混合连接器快讯

  • 释放 GaN 先过驱动关:误导通、负压关断与自举过压

    [置顶] 释放 GaN 先过驱动关:误导通、负压关断与自举过压

    第三代半导体 • 2026-09-14 09:38:45

    GaN驱动误导通与自举过压导读

  • 车规功率电感扩规格:ADAS 电源要把磁件与开关管同验

    [置顶] 车规功率电感扩规格:ADAS 电源要把磁件与开关管同验

    行业快讯 • 2026-09-12 07:39:10

    车规功率电感扩规格快讯

  • 500V 集成三相驱动:风扇泵阀何时不必上分立宽禁带

    [置顶] 500V 集成三相驱动:风扇泵阀何时不必上分立宽禁带

    第三代半导体 • 2026-09-12 07:39:10

    500V集成三相电机驱动快讯

  • 光伏电弧与功率噪声:GaN、信号链、边缘检测要同一张台架

    [置顶] 光伏电弧与功率噪声:GaN、信号链、边缘检测要同一张台架

    第三代半导体 • 2026-09-12 07:39:10

    功率噪声与电弧检测导读

  • 功率 GaN 份额抬头后:系统厂更该盯电压档与第二货源

    [置顶] 功率 GaN 份额抬头后:系统厂更该盯电压档与第二货源

    第三代半导体 • 2026-09-11 10:17:05

    功率GaN份额与选型快讯

  • AI 基础设施:800V DC 从电网到栅极在卡什么

    [置顶] AI 基础设施:800V DC 从电网到栅极在卡什么

    第三代半导体 • 2026-09-11 10:17:05

    TI 800V AI基础设施快讯

  • 运放失调与增益误差:先算预算,再决定校准还是换料

    [置顶] 运放失调与增益误差:先算预算,再决定校准还是换料

    行业快讯 • 2026-09-11 10:17:05

    运放失调与增益误差校准导读

  • 电源全链路:从 DrMOS 到高耐压 SiC,卡点常在驱动与采样

    [置顶] 电源全链路:从 DrMOS 到高耐压 SiC,卡点常在驱动与采样

    第三代半导体 • 2026-09-10 10:55:49

    电源全链路DrMOS到SiC快讯

  • 600V 超结 MOSFET:体二极管与顶部散热比 RDS(on) 更早卡点

    [置顶] 600V 超结 MOSFET:体二极管与顶部散热比 RDS(on) 更早卡点

    第三代半导体 • 2026-09-10 10:55:49

    600V超结体二极管与散热快讯

  • SST 高频利兹线:普通民用线为何扛不住陡脉冲满载

    [置顶] SST 高频利兹线:普通民用线为何扛不住陡脉冲满载

    第三代半导体 • 2026-09-10 10:55:49

    SST高频利兹线选型导读

  • 大电流逆变器电感:FeSi 磁粉芯与锰锌铁氧体怎么对照

    [置顶] 大电流逆变器电感:FeSi 磁粉芯与锰锌铁氧体怎么对照

    第三代半导体 • 2026-09-07 11:52:00

    大电流逆变器电感磁芯快讯

  • 交流耦合储能:母线 700~1500V 时开关耐压怎么分档

    [置顶] 交流耦合储能:母线 700~1500V 时开关耐压怎么分档

    第三代半导体 • 2026-09-07 11:52:00

    交流耦合储能开关分档快讯

  • 仿人机器人关节与激光驱动:GaN 该放在哪一段功率链

    [置顶] 仿人机器人关节与激光驱动:GaN 该放在哪一段功率链

    第三代半导体 • 2026-09-07 11:52:00

    仿人机器人GaN功率链导读

  • SEMI:2026Q2 全球半导体设备出货同比 +23%

    [置顶] SEMI:2026Q2 全球半导体设备出货同比 +23%

    行业快讯 • 2026-09-06 09:30:14

    SEMI设备出货Q2快讯

  • PCIM 罗姆观察:功率管与模拟外设要同一验证包

    [置顶] PCIM 罗姆观察:功率管与模拟外设要同一验证包

    第三代半导体 • 2026-09-06 09:30:14

    罗姆PCIM功率与模拟快讯

  • 电抗器气隙磁通展宽:损耗与电感为何对不上台架

    [置顶] 电抗器气隙磁通展宽:损耗与电感为何对不上台架

    第三代半导体 • 2026-09-06 09:30:14

    电抗器气隙磁通展宽导读

  • 800V 高压连接器:CTI 为何从材料表走到前台

    [置顶] 800V 高压连接器:CTI 为何从材料表走到前台

    行业快讯 • 2026-09-04 10:49:37

    高压连接器CTI快讯

  • ZVS 软开关:怎样从 Coss 曲线算出 Eoss

    [置顶] ZVS 软开关:怎样从 Coss 曲线算出 Eoss

    第三代半导体 • 2026-09-04 10:49:37

    软开关Eoss计算快讯

  • 半桥开通电流尖峰:先查体二极管 Qrr,再改死区

    [置顶] 半桥开通电流尖峰:先查体二极管 Qrr,再改死区

    第三代半导体 • 2026-09-04 10:49:37

    半桥体二极管Qrr开通尖峰导读

  • 读懂 MOSFET 的 RDS(on):别只盯 25℃ 标称

    [置顶] 读懂 MOSFET 的 RDS(on):别只盯 25℃ 标称

    第三代半导体 • 2026-09-03 11:44:22

    MOSFET RDS(on)读规格书快讯

  • PCIM 看储能:功率电子比电池模组更抢镜

    [置顶] PCIM 看储能:功率电子比电池模组更抢镜

    第三代半导体 • 2026-09-03 11:44:22

    PCIM储能功率电子快讯

  • 开关电源变压器改绕序降漏感:单体合格为何整机批量失效

    [置顶] 开关电源变压器改绕序降漏感:单体合格为何整机批量失效

    第三代半导体 • 2026-09-03 11:44:22

    变压器绕序变更批量失效导读

  • Cadence 超级智能体:EDA 提效不等于器件免验证

    [置顶] Cadence 超级智能体:EDA 提效不等于器件免验证

    行业快讯 • 2026-09-02 10:15:31

    Cadence AI EDA 快讯

  • 安世恢复供货并推12英寸:成熟功率器件价格逻辑在变

    [置顶] 安世恢复供货并推12英寸:成熟功率器件价格逻辑在变

    第三代半导体 • 2026-09-02 10:15:31

    安世12英寸与价格快讯

  • 固态变压器工程验证期:功率半导体与高频磁件先卡哪?

    [置顶] 固态变压器工程验证期:功率半导体与高频磁件先卡哪?

    第三代半导体 • 2026-09-02 10:15:31

    SST工程验证与磁件瓶颈导读

  • EV 牵引逆变器电流传感:800V 下精度与体积怎么权衡

    [置顶] EV 牵引逆变器电流传感:800V 下精度与体积怎么权衡

    行业快讯 • 2026-08-31 09:09:32

    EV牵引逆变器电流传感快讯

  • SiC MOSFET 准静态 C-V:电容测不稳会拖慢逆变打样

    [置顶] SiC MOSFET 准静态 C-V:电容测不稳会拖慢逆变打样

    第三代半导体 • 2026-08-31 09:09:32

    SiC C-V测量快讯

  • GaN 代工洗牌下,系统厂怎么写第二货源与场景分工

    [置顶] GaN 代工洗牌下,系统厂怎么写第二货源与场景分工

    第三代半导体 • 2026-08-31 09:09:32

    GaN代工格局与第二货源导读

  • SEMI:全球封装测试厂数据库扩容,化合物与 AI/HPC 后端被单独点名

    [置顶] SEMI:全球封装测试厂数据库扩容,化合物与 AI/HPC 后端被单独点名

    行业快讯 • 2026-08-29 11:12:42

    SEMI封装测试厂数据库快讯

  • AI 数据中心电源放量:800V HVDC 正在改写机柜供电选型权重

    [置顶] AI 数据中心电源放量:800V HVDC 正在改写机柜供电选型权重

    第三代半导体 • 2026-08-29 11:12:42

    AI数据中心电源与800V快讯

  • 磁芯测不准,高频高功率电源就选不准:三座测试大山怎么破

    [置顶] 磁芯测不准,高频高功率电源就选不准:三座测试大山怎么破

    第三代半导体 • 2026-08-29 11:12:42

    磁芯高频高功率测试导读

  • 西门子:用智能体 AI 压缩芯片与 PCB 验证闭环

    [置顶] 西门子:用智能体 AI 压缩芯片与 PCB 验证闭环

    行业快讯 • 2026-08-28 17:08:58

    西门子智能体EDA快讯

  • 2.5kW 图腾柱无桥 PFC 案例:GaN 导入要把驱动与波形写进清单

    [置顶] 2.5kW 图腾柱无桥 PFC 案例:GaN 导入要把驱动与波形写进清单

    第三代半导体 • 2026-08-28 17:08:58

    图腾柱GaN PFC案例快讯

  • SiC 功率模块装机榜:国产份额抬头后,工程师更该盯封装与量产一致性

    [置顶] SiC 功率模块装机榜:国产份额抬头后,工程师更该盯封装与量产一致性

    第三代半导体 • 2026-08-28 17:08:58

    SiC功率模块TOP10导读

  • 英特尔 × 蓝思:玻璃基板先进封装合作再抬热度

    [置顶] 英特尔 × 蓝思:玻璃基板先进封装合作再抬热度

    行业快讯 • 2026-08-27 14:27:31

    英特尔蓝思玻璃基板封装快讯

  • 安防变焦马达驱动:微步进与 EMI 被重新摆上验证台

    [置顶] 安防变焦马达驱动:微步进与 EMI 被重新摆上验证台

    行业快讯 • 2026-08-27 14:27:31

    瑞盟步进驱动与EMI快讯

  • 新能源重卡充换电组网:磁元件与功率器件要一起进预算

    [置顶] 新能源重卡充换电组网:磁元件与功率器件要一起进预算

    第三代半导体 • 2026-08-27 14:27:31

    新能源重卡充换电与磁元件导读

  • 800V 平台上的绝缘监测:干簧继电器为何仍被点名

    [置顶] 800V 平台上的绝缘监测:干簧继电器为何仍被点名

    行业快讯 • 2026-08-26 11:12:17

    EV干簧继电器绝缘监测快讯

  • GE Vernova 推中压 UPS:AI 工厂供电保护从低压堆叠往上走

    [置顶] GE Vernova 推中压 UPS:AI 工厂供电保护从低压堆叠往上走

    行业快讯 • 2026-08-26 11:12:17

    GE Vernova中压UPS快讯

  • GaN 冲上 2200V 之后:高压母线上该怎么重新划分 SiC 与 GaN

    [置顶] GaN 冲上 2200V 之后:高压母线上该怎么重新划分 SiC 与 GaN

    第三代半导体 • 2026-08-26 11:12:17

    GaN 2200V与SiC边界导读

  • SST 不止算力侧:构网型台区储能被点名为下一增长观察点

    [置顶] SST 不止算力侧:构网型台区储能被点名为下一增长观察点

    第三代半导体 • 2026-08-25 10:59:14

    SST与构网型台区储能快讯

  • GaN 功率赛道:价格战与代工稀缺并行,供应链备份被重新摆上台面

    [置顶] GaN 功率赛道:价格战与代工稀缺并行,供应链备份被重新摆上台面

    第三代半导体 • 2026-08-25 10:59:14

    GaN代工与竞争格局快讯

  • 6G 通信电源:HVDC/SST 与图腾柱 PFC 下,SiC 与 GaN 怎么分工

    [置顶] 6G 通信电源:HVDC/SST 与图腾柱 PFC 下,SiC 与 GaN 怎么分工

    第三代半导体 • 2026-08-25 10:59:14

    6G通信电源与SiC/GaN分工导读

  • 数字隔离器新品观察:爬电距离与集成隔离电源被一并点名

    [置顶] 数字隔离器新品观察:爬电距离与集成隔离电源被一并点名

    行业快讯 • 2026-08-24 10:27:42

    数字隔离器爬电与隔离电源快讯

  • SEMI:玻璃核心基板成为先进封装下一阶段观察点

    [置顶] SEMI:玻璃核心基板成为先进封装下一阶段观察点

    行业快讯 • 2026-08-24 10:27:42

    SEMI玻璃核心基板快讯

  • 华东数字电源峰会:AI 电源、光储充与 800V 三代半被放进同一张议程

    [置顶] 华东数字电源峰会:AI 电源、光储充与 800V 三代半被放进同一张议程

    第三代半导体 • 2026-08-24 10:27:42

    华东数字电源峰会导读

  • 平湖实验室:8 吋 GaN-on-SiC 增强型 HEMT 工艺平台亮相

    [置顶] 平湖实验室:8 吋 GaN-on-SiC 增强型 HEMT 工艺平台亮相

    第三代半导体 • 2026-08-23 11:40:36

    GaN-on-SiC 8吋工艺快讯

  • 国产 8 英寸 SiC:能量产之后,下一步看良率与成本

    [置顶] 国产 8 英寸 SiC:能量产之后,下一步看良率与成本

    第三代半导体 • 2026-08-23 11:40:36

    国产8英寸SiC产业化快讯

  • AI 数据中心转向 800V HVDC:SiC 与 GaN 各自守哪一段链路

    [置顶] AI 数据中心转向 800V HVDC:SiC 与 GaN 各自守哪一段链路

    第三代半导体 • 2026-08-23 11:40:36

    800V HVDC 与 SiC/GaN 角色导读

  • 桥式电路 SiC 替换超结:性能好算,驱动与布局不能省

    [置顶] 桥式电路 SiC 替换超结:性能好算,驱动与布局不能省

    第三代半导体 • 2026-08-21 09:20:14

    桥式SiC替换超结注意点

  • 650V SiC 替代超结:行业在谈成本下探,落地仍看驱动门槛

    [置顶] 650V SiC 替代超结:行业在谈成本下探,落地仍看驱动门槛

    第三代半导体 • 2026-08-21 09:20:14

    SiC替代超结驱动力快讯

  • SEMI:2028 年全球半导体设备销售额有望达 2295 亿美元

    [置顶] SEMI:2028 年全球半导体设备销售额有望达 2295 亿美元

    行业快讯 • 2026-08-20 16:51:20

    SEMI 设备市场预测快讯

  • 阳光电源等披露多个 SiC SST 订单:算力中心与充电站加速落地

    [置顶] 阳光电源等披露多个 SiC SST 订单:算力中心与充电站加速落地

    第三代半导体 • 2026-08-20 16:51:20

    SiC SST 订单快讯

  • 功率半导体第三波涨价:AI 800VDC 正在改写交期与选型权重

    [置顶] 功率半导体第三波涨价:AI 800VDC 正在改写交期与选型权重

    第三代半导体 • 2026-08-20 16:51:20

    功率器件涨价与 800VDC 选型导读

  • SEMI:2026 年二季度全球硅晶圆出货量同比增长 7.4%

    [置顶] SEMI:2026 年二季度全球硅晶圆出货量同比增长 7.4%

    行业快讯 • 2026-08-19 08:05:52

    SEMI 2026Q2 硅晶圆出货快讯

  • PI 推出 2200V PowiGaN:高压母线时代的 GaN 电压天花板又抬高了

    [置顶] PI 推出 2200V PowiGaN:高压母线时代的 GaN 电压天花板又抬高了

    第三代半导体 • 2026-08-19 08:05:52

    PI 2200V GaN 技术快讯摘要

  • 2026 功率半导体路线:SiC、GaN 与先进封装如何分流

    [置顶] 2026 功率半导体路线:SiC、GaN 与先进封装如何分流

    第三代半导体 • 2026-08-19 08:05:52

    SiC/GaN/封装三分天下路线导读

  • COSINE一级代理商嘉威创盈|COSINE 替代选型表:5 款运放/电源对标 ADI/TI/Microchip

    [置顶] COSINE一级代理商嘉威创盈|COSINE 替代选型表:5 款运放/电源对标 ADI/TI/Microchip

    国产替代方案 • 2026-07-20 15:30:43

    COSINE五款替代选型表

  • 超声收发芯片怎么选?从信号链路到场景落地的关键指标

    超声收发芯片怎么选?从信号链路到场景落地的关键指标

    超声IC • 2026-07-05 11:22:14

    超声收发芯片的核心架构与工作原理 超声收发芯片是超声系统的核心信号链路器件,集成高压脉冲发射器、T/R收发开关、低噪声放大器、可变增益放大器、抗混叠滤波器和ADC,构成完整的模拟前端信号链。发射端需产

    国产替代 医疗超声 模拟前端 芯片选型 超声收发芯片 高压脉冲
  • 高可靠 SiC MOSFET 如何从器件选型走到量产落地

    高可靠 SiC MOSFET 如何从器件选型走到量产落地

    二极管 • 2026-07-05 10:50:14

    栅氧可靠性:高可靠 SiC MOSFET 的第一道关卡 在高可靠 SiC MOSFET 的设计与量产中,栅极氧化膜的可靠性是所有评估维度中最受关注的一项。SiC 材料虽能与氧气反应生成 SiO₂ 介质

    第三代半导体 SiC MOSFET 碳化硅 功率器件 新能源汽车 可靠性设计
  • 轨道交通端子排怎么选?从连接技术到采购落地,5个维度一次讲清

    轨道交通端子排怎么选?从连接技术到采购落地,5个维度一次讲清

    连接器与端子 • 2026-07-04 15:49:48

    引言 在轨道交通系统中,端子排(接线端子)承担着电气信号传输与电力分配的关键任务。从列车控制柜到站台屏蔽门,从牵引动力系统到车载空调,端子排的连接可靠性直接影响列车运行的安全性和维护效率。与普通工业接

    端子选型 轨道交通端子排 弹簧式端子 轨装端子 轨交连接器 接线端子
  • 工业无损探伤落地指南:五类检测方法的适用边界与选型逻辑

    工业无损探伤落地指南:五类检测方法的适用边界与选型逻辑

    超声IC • 2026-07-04 15:48:48

    引言 一根管道的微小裂纹、一块铸件内部的气孔、一道焊缝的未熔合——这些肉眼不可见的缺陷,都可能成为工业事故的起点。而无损探伤(Non-Destructive Testing,NDT),就是解决这一问题

    工业探伤 超声检测 无损探伤 相控阵 NDT 质量控制
  • 低失真高压开关选型的四个误区:Ron平坦度比导通电阻值更重要

    低失真高压开关选型的四个误区:Ron平坦度比导通电阻值更重要

    集成电路 • 2026-07-04 15:47:58

    低失真为什么是高压开关的"硬指标" 在高压模拟信号链路中,"能通"和"通得好"是两回事。一个标称可以承受±100V的高压开关,如果导通电阻在信号摆幅内波动过大,或者每次切换都向信号路径注入大量电荷,那

    元器件选型 国产替代 高压模拟开关 医疗超声IC SOI工艺 低失真高压开关
  • 超声模拟前端怎么选?三大核心指标与主流芯片方案对比

    超声模拟前端怎么选?三大核心指标与主流芯片方案对比

    超声IC • 2026-07-03 13:14:24

    为什么超声成像的"第一公里"决定了最终图像质量 在医疗超声系统中,换能器接收到的人体组织回波信号极其微弱,深层组织的反射信号可能只有纳伏级别。这些信号在被数字化之前,需要经过放大、滤波、动态增益补偿和

    元器件选型 医疗超声 模拟前端 AFE芯片 芯片方案对比 超声成像
  • 低噪声高压模拟开关选型决策:七项指标、两种工艺与三层噪声控制

    低噪声高压模拟开关选型决策:七项指标、两种工艺与三层噪声控制

    集成电路 • 2026-07-03 13:13:53

    引言 在精密测量、医疗成像和工业自动化中,信号链上任何一个环节引入噪声都可能让系统分辨率大打折扣。低噪声高压模拟开关正是这类场景中决定信号质量的关键器件——它既要承受 ±90V 甚至更高电压,又不能在

    高压模拟开关 医疗超声IC 模拟开关选型 低噪声设计 信号链 HVCMOS
  • 高频超声模拟前端芯片选型落地:噪声、功耗与通道数的取舍逻辑

    高频超声模拟前端芯片选型落地:噪声、功耗与通道数的取舍逻辑

    超声IC • 2026-07-03 13:13:11

    从换能器到数字信号:超声系统接收链路的核心角色 在医疗超声成像、工业无损检测和水下声呐等场景中,前端模拟信号链的质量直接决定了系统能够"看清"多深、多细的结构。高频超声模拟前端芯片(Analog Fr

    国产替代 医疗超声 芯片选型 超声模拟前端 AFE芯片
  • 轨道交通接线端子选型:弹簧式、螺栓式与插拔式的场景对比

    轨道交通接线端子选型:弹簧式、螺栓式与插拔式的场景对比

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    轨道交通接线端子选型:弹簧式、螺栓式与插拔式的场景对比 轨道交通系统对电气连接的要求远高于普通工业环境。无论是高速列车牵引电机的上千安培电流传输,还是信号系统中毫伏级控制信号的稳定传递,都离不开看似不

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