电子元器件资讯中心_半导体行业快讯与技术文章

[置顶] 电流传感器精度：灵敏度和零点偏移谁在主导

行业快讯 • 2026-09-15 09:43:39

电流传感器灵敏度与偏移快讯

[置顶] AI 芯片电源难测：SI 与 PI 已经绑在一起

第三代半导体 • 2026-09-15 09:43:39

AI芯片电源完整性快讯

[置顶] SiC 要不要负压关断：先分单管还是桥臂

第三代半导体 • 2026-09-15 09:43:39

SiC负压关断按拓扑分流导读

[置顶] 从帕到兆帕的压力传感：前端运放量程不能只按满量程算

行业快讯 • 2026-09-14 09:38:45

Pa到MPa压力传感快讯

[置顶] 机器人关节连接器：15A 电源与 1Gbps 挤进 5.65mm

行业快讯 • 2026-09-14 09:38:45

机器人关节混合连接器快讯

[置顶] 释放 GaN 先过驱动关：误导通、负压关断与自举过压

第三代半导体 • 2026-09-14 09:38:45

GaN驱动误导通与自举过压导读

[置顶] 车规功率电感扩规格：ADAS 电源要把磁件与开关管同验

行业快讯 • 2026-09-12 07:39:10

车规功率电感扩规格快讯

[置顶] 500V 集成三相驱动：风扇泵阀何时不必上分立宽禁带

第三代半导体 • 2026-09-12 07:39:10

500V集成三相电机驱动快讯

[置顶] 光伏电弧与功率噪声：GaN、信号链、边缘检测要同一张台架

第三代半导体 • 2026-09-12 07:39:10

功率噪声与电弧检测导读

[置顶] 功率 GaN 份额抬头后：系统厂更该盯电压档与第二货源

第三代半导体 • 2026-09-11 10:17:05

功率GaN份额与选型快讯

[置顶] AI 基础设施：800V DC 从电网到栅极在卡什么

第三代半导体 • 2026-09-11 10:17:05

TI 800V AI基础设施快讯

[置顶] 运放失调与增益误差：先算预算，再决定校准还是换料

行业快讯 • 2026-09-11 10:17:05

运放失调与增益误差校准导读

[置顶] 电源全链路：从 DrMOS 到高耐压 SiC，卡点常在驱动与采样

第三代半导体 • 2026-09-10 10:55:49

电源全链路DrMOS到SiC快讯

[置顶] 600V 超结 MOSFET：体二极管与顶部散热比 RDS(on) 更早卡点

第三代半导体 • 2026-09-10 10:55:49

600V超结体二极管与散热快讯

[置顶] SST 高频利兹线：普通民用线为何扛不住陡脉冲满载

第三代半导体 • 2026-09-10 10:55:49

SST高频利兹线选型导读

[置顶] 大电流逆变器电感：FeSi 磁粉芯与锰锌铁氧体怎么对照

第三代半导体 • 2026-09-07 11:52:00

大电流逆变器电感磁芯快讯

[置顶] 交流耦合储能：母线 700～1500V 时开关耐压怎么分档

第三代半导体 • 2026-09-07 11:52:00

交流耦合储能开关分档快讯

[置顶] 仿人机器人关节与激光驱动：GaN 该放在哪一段功率链

第三代半导体 • 2026-09-07 11:52:00

仿人机器人GaN功率链导读

[置顶] SEMI：2026Q2 全球半导体设备出货同比 +23%

行业快讯 • 2026-09-06 09:30:14

SEMI设备出货Q2快讯

[置顶] PCIM 罗姆观察：功率管与模拟外设要同一验证包

第三代半导体 • 2026-09-06 09:30:14

罗姆PCIM功率与模拟快讯

[置顶] 电抗器气隙磁通展宽：损耗与电感为何对不上台架

第三代半导体 • 2026-09-06 09:30:14

电抗器气隙磁通展宽导读

[置顶] 800V 高压连接器：CTI 为何从材料表走到前台

行业快讯 • 2026-09-04 10:49:37

高压连接器CTI快讯

[置顶] ZVS 软开关：怎样从 Coss 曲线算出 Eoss

第三代半导体 • 2026-09-04 10:49:37

软开关Eoss计算快讯

[置顶] 半桥开通电流尖峰：先查体二极管 Qrr，再改死区

第三代半导体 • 2026-09-04 10:49:37

半桥体二极管Qrr开通尖峰导读

[置顶] 读懂 MOSFET 的 RDS(on)：别只盯 25℃ 标称

第三代半导体 • 2026-09-03 11:44:22

MOSFET RDS(on)读规格书快讯

[置顶] PCIM 看储能：功率电子比电池模组更抢镜

第三代半导体 • 2026-09-03 11:44:22

PCIM储能功率电子快讯

[置顶] 开关电源变压器改绕序降漏感：单体合格为何整机批量失效

第三代半导体 • 2026-09-03 11:44:22

变压器绕序变更批量失效导读

[置顶] Cadence 超级智能体：EDA 提效不等于器件免验证

行业快讯 • 2026-09-02 10:15:31

Cadence AI EDA 快讯

[置顶] 安世恢复供货并推12英寸：成熟功率器件价格逻辑在变

第三代半导体 • 2026-09-02 10:15:31

安世12英寸与价格快讯

[置顶] 固态变压器工程验证期：功率半导体与高频磁件先卡哪？

第三代半导体 • 2026-09-02 10:15:31

SST工程验证与磁件瓶颈导读

[置顶] EV 牵引逆变器电流传感：800V 下精度与体积怎么权衡

行业快讯 • 2026-08-31 09:09:32

EV牵引逆变器电流传感快讯

[置顶] SiC MOSFET 准静态 C-V：电容测不稳会拖慢逆变打样

第三代半导体 • 2026-08-31 09:09:32

SiC C-V测量快讯

[置顶] GaN 代工洗牌下，系统厂怎么写第二货源与场景分工

第三代半导体 • 2026-08-31 09:09:32

GaN代工格局与第二货源导读

[置顶] SEMI：全球封装测试厂数据库扩容，化合物与 AI/HPC 后端被单独点名

行业快讯 • 2026-08-29 11:12:42

SEMI封装测试厂数据库快讯

[置顶] AI 数据中心电源放量：800V HVDC 正在改写机柜供电选型权重

第三代半导体 • 2026-08-29 11:12:42

AI数据中心电源与800V快讯

[置顶] 磁芯测不准，高频高功率电源就选不准：三座测试大山怎么破

第三代半导体 • 2026-08-29 11:12:42

磁芯高频高功率测试导读

[置顶] 西门子：用智能体 AI 压缩芯片与 PCB 验证闭环

行业快讯 • 2026-08-28 17:08:58

西门子智能体EDA快讯

[置顶] 2.5kW 图腾柱无桥 PFC 案例：GaN 导入要把驱动与波形写进清单

第三代半导体 • 2026-08-28 17:08:58

图腾柱GaN PFC案例快讯

[置顶] SiC 功率模块装机榜：国产份额抬头后，工程师更该盯封装与量产一致性

第三代半导体 • 2026-08-28 17:08:58

SiC功率模块TOP10导读

[置顶] 英特尔 × 蓝思：玻璃基板先进封装合作再抬热度

行业快讯 • 2026-08-27 14:27:31

英特尔蓝思玻璃基板封装快讯

[置顶] 安防变焦马达驱动：微步进与 EMI 被重新摆上验证台

行业快讯 • 2026-08-27 14:27:31

瑞盟步进驱动与EMI快讯

[置顶] 新能源重卡充换电组网：磁元件与功率器件要一起进预算

第三代半导体 • 2026-08-27 14:27:31

新能源重卡充换电与磁元件导读

[置顶] 800V 平台上的绝缘监测：干簧继电器为何仍被点名

行业快讯 • 2026-08-26 11:12:17

EV干簧继电器绝缘监测快讯

[置顶] GE Vernova 推中压 UPS：AI 工厂供电保护从低压堆叠往上走

行业快讯 • 2026-08-26 11:12:17

GE Vernova中压UPS快讯

[置顶] GaN 冲上 2200V 之后：高压母线上该怎么重新划分 SiC 与 GaN

第三代半导体 • 2026-08-26 11:12:17

GaN 2200V与SiC边界导读

[置顶] SST 不止算力侧：构网型台区储能被点名为下一增长观察点

第三代半导体 • 2026-08-25 10:59:14

SST与构网型台区储能快讯

[置顶] GaN 功率赛道：价格战与代工稀缺并行，供应链备份被重新摆上台面

第三代半导体 • 2026-08-25 10:59:14

GaN代工与竞争格局快讯

[置顶] 6G 通信电源：HVDC/SST 与图腾柱 PFC 下，SiC 与 GaN 怎么分工

第三代半导体 • 2026-08-25 10:59:14

6G通信电源与SiC/GaN分工导读

[置顶] 数字隔离器新品观察：爬电距离与集成隔离电源被一并点名

行业快讯 • 2026-08-24 10:27:42

数字隔离器爬电与隔离电源快讯

[置顶] SEMI：玻璃核心基板成为先进封装下一阶段观察点

行业快讯 • 2026-08-24 10:27:42

SEMI玻璃核心基板快讯

[置顶] 华东数字电源峰会：AI 电源、光储充与 800V 三代半被放进同一张议程

第三代半导体 • 2026-08-24 10:27:42

华东数字电源峰会导读

[置顶] 平湖实验室：8 吋 GaN-on-SiC 增强型 HEMT 工艺平台亮相

第三代半导体 • 2026-08-23 11:40:36

GaN-on-SiC 8吋工艺快讯

[置顶] 国产 8 英寸 SiC：能量产之后，下一步看良率与成本

第三代半导体 • 2026-08-23 11:40:36

国产8英寸SiC产业化快讯

[置顶] AI 数据中心转向 800V HVDC：SiC 与 GaN 各自守哪一段链路

第三代半导体 • 2026-08-23 11:40:36

800V HVDC 与 SiC/GaN 角色导读

[置顶] 桥式电路 SiC 替换超结：性能好算，驱动与布局不能省

第三代半导体 • 2026-08-21 09:20:14

桥式SiC替换超结注意点

[置顶] 650V SiC 替代超结：行业在谈成本下探，落地仍看驱动门槛

第三代半导体 • 2026-08-21 09:20:14

SiC替代超结驱动力快讯

[置顶] SEMI：2028 年全球半导体设备销售额有望达 2295 亿美元

行业快讯 • 2026-08-20 16:51:20

SEMI 设备市场预测快讯

[置顶] 阳光电源等披露多个 SiC SST 订单：算力中心与充电站加速落地

第三代半导体 • 2026-08-20 16:51:20

SiC SST 订单快讯

[置顶] 功率半导体第三波涨价：AI 800VDC 正在改写交期与选型权重

第三代半导体 • 2026-08-20 16:51:20

功率器件涨价与 800VDC 选型导读

[置顶] SEMI：2026 年二季度全球硅晶圆出货量同比增长 7.4%

行业快讯 • 2026-08-19 08:05:52

SEMI 2026Q2 硅晶圆出货快讯

[置顶] PI 推出 2200V PowiGaN：高压母线时代的 GaN 电压天花板又抬高了

第三代半导体 • 2026-08-19 08:05:52

PI 2200V GaN 技术快讯摘要

[置顶] 2026 功率半导体路线：SiC、GaN 与先进封装如何分流

第三代半导体 • 2026-08-19 08:05:52

SiC/GaN/封装三分天下路线导读

[置顶] COSINE一级代理商嘉威创盈｜COSINE 替代选型表：5 款运放/电源对标 ADI/TI/Microchip

国产替代方案 • 2026-07-20 15:30:43

COSINE五款替代选型表

把650V SiC MOSFET用对——器件特性、选型参数与驱动设计要点

行业快讯 • 2026-07-08 15:30:14

650V SiC MOSFET正在改变什么功率半导体行业过去十年里最显著的变化之一，是碳化硅（SiC）从"实验室里的未来材料"变成了量产器件。而在碳化硅产品序列中，650V SiC MOSFET是一

电梯连接器选型与抗震动设计：从位置分布到标准合规的落地思路

行业快讯 • 2026-07-07 15:43:14

电梯连接器选型与抗震动设计：从位置分布到标准合规的落地思路在电梯控制系统中，连接器扮演着关键角色——它承载着驱动大电流、传输控制信号、串联安全回路的核心功能。一个不起眼的接线端子松动，就可能导致楼

工业连接器接线端子电梯维保电梯连接器抗震动设计连接器选型

小封装高压模拟开关怎么选？从PZT驱动到探头内置的五个关键参数

行业快讯 • 2026-07-07 15:30:14

小封装高压模拟开关在超声系统里到底解决什么问题在医疗超声成像系统中，压电换能器（PZT）是产生和接收超声波的核心元件。为了让PZT发射足够能量的声波，需要施加幅度高达±90V甚至±110V的高压脉冲

元器件选型医疗超声高压模拟开关模拟开关选型无损探伤超声探头

工业无损探伤高压开关选型实操：六组参数决定检测精度

行业快讯 • 2026-07-07 15:37:14

引言在工业无损探伤领域，"高压开关"是一个容易被忽视却决定检测精度的关键环节。无论是X射线检测系统的高压发生器、超声波探伤仪的脉冲发射电路，还是多通道相控阵检测中的模拟开关阵列，高压开关的性能直接影

高压模拟开关工业无损探伤超声脉冲发生器 NDT器件高压开关无损检测选型

超低内阻SiC MOSFET的导通电阻还能降多少？从材料到封装的工程优化逻辑

行业快讯 • 2026-07-07 15:50:14

碳化硅材料如何从物理层面实现更低导通电阻超低内阻 SiC MOSFET 的性能优势根源于碳化硅材料的物理特性。作为宽禁带半导体，4H-SiC 的禁带宽度约为硅的3倍，临界击穿电场强度约为硅的10倍。

第三代半导体 SiC MOSFET 碳化硅功率器件沟槽栅超结

低失真高压模拟开关怎么选对？从Ron平坦度到系统级失真控制的五个关键阶段

集成电路 • 2026-07-06 10:55:20

高压模拟开关的失真从哪来模拟开关并非理想器件。信号经过开关时，导通电阻（Ron）会与后级电路输入阻抗形成分压网络，而Ron本身会随输入信号幅度的变化而波动。这种波动幅度就是Ron平坦度（Ron F

医疗超声高压模拟开关 RON平坦度信号完整性电子元器件选型模拟IC

电梯控制柜接线端子怎么选、怎么装、怎么修？从选型到季检的实操路径

连接器与端子 • 2026-07-06 10:54:59

电梯控制柜里的"连接中枢"：接线端子的角色在电梯控制柜这个密集的电气空间中，接线端子承担着看似简单却至关重要的任务——把来自不同方向、不同功能的导线安全可靠地汇聚在一起。电梯控制柜接线端子的选型、安

工业控制端子选型接线端子电气接线电梯维保电梯控制柜

无损探伤超声芯片怎么选？高压脉冲到多通道成像的五维决策框架

超声IC • 2026-07-06 10:54:29

无损探伤超声芯片怎么选？高压脉冲到多通道成像的五维决策框架在工业制造、能源设施和航空航天等对安全要求极高的领域，无损探伤（NDT）是保障结构完整性的第一道防线。无论是焊缝内部裂纹、铸件缩孔，还是复合

芯片选型高压脉冲发生器超声芯片无损探伤相控阵超声工业NDT

超声集成收发器怎么选？从五大参数到工程落地的关键判断

超声IC • 2026-07-06 10:54:05

从分立元件到单芯片：超声集成收发器解决了什么问题超声成像系统长期以来依赖大量分立元件搭建发射和接收链路。一个典型的64通道超声前端需要数百颗高压MOSFET、二极管桥、运算放大器和无源器件，不仅占用

元器件选型模拟前端超声AFE 高压脉冲发生器超声集成收发器医疗电子

低导通电阻 SiC MOSFET 深度解析：从物理优势到系统级革命的完整技术图谱

第三代半导体 • 2026-07-06 10:53:26

一、引言：从"硅极限"到"碳化硅革命" 在电力电子领域，导通电阻（RDS(on)）从来不是一个可有可无的参数——它直接决定了器件在导通状态下的功率损耗，进而影响整个系统的效率、热管理和最终成本。长期

第三代半导体 SiC MOSFET 碳化硅功率器件光伏逆变器充电桩新能源汽车导通电阻 RDS(on)

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