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  • COSINE 替代选型表:5 款运放/电源对标 ADI/TI/Microchip

    [置顶] COSINE 替代选型表:5 款运放/电源对标 ADI/TI/Microchip

    国产替代方案 • 2026-07-20 15:30:43

    COSINE五款替代选型表

  • 从MAX14808到TX7316:集成有源T/R开关的脉冲发生器主流方案与技术趋势

    从MAX14808到TX7316:集成有源T/R开关的脉冲发生器主流方案与技术趋势

    行业快讯 • 2026-07-08 15:40:14

    有源T/R开关与脉冲发生器为什么要集成 在超声成像系统中,高压脉冲发射和微弱回波接收共用同一路换能器通道,必须有一套可靠的收发隔离机制。传统的做法是在发射链路和接收链路之间插入独立的T/R开关——通常

    模拟前端 芯片选型 T/R开关 脉冲发生器 医疗IC 超声电子
  • OBC碳化硅解决方案的工程验证:Lucid Air量产之后,22kW时代还有多远

    OBC碳化硅解决方案的工程验证:Lucid Air量产之后,22kW时代还有多远

    行业快讯 • 2026-07-08 16:12:14

    车载充电机升级路径:碳化硅如何重塑OBC的效率和功率密度 电动汽车的充电体验,很大程度上由车载充电机(OBC)决定。它将交流电转换为直流电为电池充电,直接关系充电速度和整车能效。当行业从400V向80

    SiC MOSFET 碳化硅 新能源汽车 功率半导体 OBC 车载充电机
  • 从±100V脉冲到多通道切换,工业超声芯片选型的关键决策点

    从±100V脉冲到多通道切换,工业超声芯片选型的关键决策点

    行业快讯 • 2026-07-08 16:02:14

    从脉冲发生到信号切换:工业超声芯片的核心角色 工业超声检测体系对精度的追求从未放缓,而决定系统性能上限的关键往往不在探头或成像算法层面,而在于驱动探头发射和接收超声信号的那几颗芯片。这些被统称为工业超

    高压模拟开关 芯片选型 脉冲发生器 无损检测 相控阵 工业超声芯片
  • 工业重载连接器怎么选?从结构到场景的五维度决策框架

    工业重载连接器怎么选?从结构到场景的五维度决策框架

    行业快讯 • 2026-07-08 15:49:14

    什么是工业重载连接器?它为什么在工业系统中不可替代 在自动化产线、轨道交通、储能系统等工业场景中,设备之间的电气连接远不只是"插上就能用"那么简单。振动、粉尘、温度变化、机械冲击——这些因素随时可能让

    工业重载连接器 HDC选型 连接器技术 自动化布线 工业控制柜 模块化连接器
  • 把650V SiC MOSFET用对——器件特性、选型参数与驱动设计要点

    把650V SiC MOSFET用对——器件特性、选型参数与驱动设计要点

    行业快讯 • 2026-07-08 15:30:14

    650V SiC MOSFET正在改变什么 功率半导体行业过去十年里最显著的变化之一,是碳化硅(SiC)从"实验室里的未来材料"变成了量产器件。而在碳化硅产品序列中,650V SiC MOSFET是一

    第三代半导体 SiC MOSFET 碳化硅 电源设计 功率半导体 器件选型
  • 电梯连接器选型与抗震动设计:从位置分布到标准合规的落地思路

    电梯连接器选型与抗震动设计:从位置分布到标准合规的落地思路

    行业快讯 • 2026-07-07 15:43:14

    电梯连接器选型与抗震动设计:从位置分布到标准合规的落地思路 在电梯控制系统中,连接器扮演着关键角色——它承载着驱动大电流、传输控制信号、串联安全回路的核心功能。一个不起眼的接线端子松动,就可能导致楼

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  • 小封装高压模拟开关怎么选?从PZT驱动到探头内置的五个关键参数

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    行业快讯 • 2026-07-07 15:30:14

    小封装高压模拟开关在超声系统里到底解决什么问题 在医疗超声成像系统中,压电换能器(PZT)是产生和接收超声波的核心元件。为了让PZT发射足够能量的声波,需要施加幅度高达±90V甚至±110V的高压脉冲

    元器件选型 医疗超声 高压模拟开关 模拟开关选型 无损探伤 超声探头
  • 工业无损探伤高压开关选型实操:六组参数决定检测精度

    工业无损探伤高压开关选型实操:六组参数决定检测精度

    行业快讯 • 2026-07-07 15:37:14

    引言 在工业无损探伤领域,"高压开关"是一个容易被忽视却决定检测精度的关键环节。无论是X射线检测系统的高压发生器、超声波探伤仪的脉冲发射电路,还是多通道相控阵检测中的模拟开关阵列,高压开关的性能直接影

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    行业快讯 • 2026-07-07 15:50:14

    碳化硅材料如何从物理层面实现更低导通电阻 超低内阻 SiC MOSFET 的性能优势根源于碳化硅材料的物理特性。作为宽禁带半导体,4H-SiC 的禁带宽度约为硅的3倍,临界击穿电场强度约为硅的10倍。

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    集成电路 • 2026-07-06 10:55:20

    高压模拟开关的失真从哪来 模拟开关并非理想器件。信号经过开关时,导通电阻(Ron)会与后级电路输入阻抗形成分压网络,而Ron本身会随输入信号幅度的变化而波动。这种波动幅度就是Ron平坦度(Ron F

    医疗超声 高压模拟开关 RON平坦度 信号完整性 电子元器件选型 模拟IC
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