电子元器件资讯中心_半导体行业快讯与技术文章

[置顶] 电流传感器精度：灵敏度和零点偏移谁在主导

行业快讯 • 2026-09-15 09:43:39

电流传感器灵敏度与偏移快讯

[置顶] AI 芯片电源难测：SI 与 PI 已经绑在一起

第三代半导体 • 2026-09-15 09:43:39

AI芯片电源完整性快讯

[置顶] SiC 要不要负压关断：先分单管还是桥臂

第三代半导体 • 2026-09-15 09:43:39

SiC负压关断按拓扑分流导读

[置顶] 从帕到兆帕的压力传感：前端运放量程不能只按满量程算

行业快讯 • 2026-09-14 09:38:45

Pa到MPa压力传感快讯

[置顶] 机器人关节连接器：15A 电源与 1Gbps 挤进 5.65mm

行业快讯 • 2026-09-14 09:38:45

机器人关节混合连接器快讯

[置顶] 释放 GaN 先过驱动关：误导通、负压关断与自举过压

第三代半导体 • 2026-09-14 09:38:45

GaN驱动误导通与自举过压导读

[置顶] 车规功率电感扩规格：ADAS 电源要把磁件与开关管同验

行业快讯 • 2026-09-12 07:39:10

车规功率电感扩规格快讯

[置顶] 500V 集成三相驱动：风扇泵阀何时不必上分立宽禁带

第三代半导体 • 2026-09-12 07:39:10

500V集成三相电机驱动快讯

[置顶] 光伏电弧与功率噪声：GaN、信号链、边缘检测要同一张台架

第三代半导体 • 2026-09-12 07:39:10

功率噪声与电弧检测导读

[置顶] 功率 GaN 份额抬头后：系统厂更该盯电压档与第二货源

第三代半导体 • 2026-09-11 10:17:05

功率GaN份额与选型快讯

[置顶] AI 基础设施：800V DC 从电网到栅极在卡什么

第三代半导体 • 2026-09-11 10:17:05

TI 800V AI基础设施快讯

[置顶] 运放失调与增益误差：先算预算，再决定校准还是换料

行业快讯 • 2026-09-11 10:17:05

运放失调与增益误差校准导读

[置顶] 电源全链路：从 DrMOS 到高耐压 SiC，卡点常在驱动与采样

第三代半导体 • 2026-09-10 10:55:49

电源全链路DrMOS到SiC快讯

[置顶] 600V 超结 MOSFET：体二极管与顶部散热比 RDS(on) 更早卡点

第三代半导体 • 2026-09-10 10:55:49

600V超结体二极管与散热快讯

[置顶] SST 高频利兹线：普通民用线为何扛不住陡脉冲满载

第三代半导体 • 2026-09-10 10:55:49

SST高频利兹线选型导读

[置顶] 大电流逆变器电感：FeSi 磁粉芯与锰锌铁氧体怎么对照

第三代半导体 • 2026-09-07 11:52:00

大电流逆变器电感磁芯快讯

[置顶] 交流耦合储能：母线 700～1500V 时开关耐压怎么分档

第三代半导体 • 2026-09-07 11:52:00

交流耦合储能开关分档快讯

[置顶] 仿人机器人关节与激光驱动：GaN 该放在哪一段功率链

第三代半导体 • 2026-09-07 11:52:00

仿人机器人GaN功率链导读

[置顶] SEMI：2026Q2 全球半导体设备出货同比 +23%

行业快讯 • 2026-09-06 09:30:14

SEMI设备出货Q2快讯

[置顶] PCIM 罗姆观察：功率管与模拟外设要同一验证包

第三代半导体 • 2026-09-06 09:30:14

罗姆PCIM功率与模拟快讯

[置顶] 电抗器气隙磁通展宽：损耗与电感为何对不上台架

第三代半导体 • 2026-09-06 09:30:14

电抗器气隙磁通展宽导读

[置顶] 800V 高压连接器：CTI 为何从材料表走到前台

行业快讯 • 2026-09-04 10:49:37

高压连接器CTI快讯

[置顶] ZVS 软开关：怎样从 Coss 曲线算出 Eoss

第三代半导体 • 2026-09-04 10:49:37

软开关Eoss计算快讯

[置顶] 半桥开通电流尖峰：先查体二极管 Qrr，再改死区

第三代半导体 • 2026-09-04 10:49:37

半桥体二极管Qrr开通尖峰导读

[置顶] 读懂 MOSFET 的 RDS(on)：别只盯 25℃ 标称

第三代半导体 • 2026-09-03 11:44:22

MOSFET RDS(on)读规格书快讯

[置顶] PCIM 看储能：功率电子比电池模组更抢镜

第三代半导体 • 2026-09-03 11:44:22

PCIM储能功率电子快讯

[置顶] 开关电源变压器改绕序降漏感：单体合格为何整机批量失效

第三代半导体 • 2026-09-03 11:44:22

变压器绕序变更批量失效导读

[置顶] Cadence 超级智能体：EDA 提效不等于器件免验证

行业快讯 • 2026-09-02 10:15:31

Cadence AI EDA 快讯

[置顶] 安世恢复供货并推12英寸：成熟功率器件价格逻辑在变

第三代半导体 • 2026-09-02 10:15:31

安世12英寸与价格快讯

[置顶] 固态变压器工程验证期：功率半导体与高频磁件先卡哪？

第三代半导体 • 2026-09-02 10:15:31

SST工程验证与磁件瓶颈导读

[置顶] EV 牵引逆变器电流传感：800V 下精度与体积怎么权衡

行业快讯 • 2026-08-31 09:09:32

EV牵引逆变器电流传感快讯

[置顶] SiC MOSFET 准静态 C-V：电容测不稳会拖慢逆变打样

第三代半导体 • 2026-08-31 09:09:32

SiC C-V测量快讯

[置顶] GaN 代工洗牌下，系统厂怎么写第二货源与场景分工

第三代半导体 • 2026-08-31 09:09:32

GaN代工格局与第二货源导读

[置顶] SEMI：全球封装测试厂数据库扩容，化合物与 AI/HPC 后端被单独点名

行业快讯 • 2026-08-29 11:12:42

SEMI封装测试厂数据库快讯

[置顶] AI 数据中心电源放量：800V HVDC 正在改写机柜供电选型权重

第三代半导体 • 2026-08-29 11:12:42

AI数据中心电源与800V快讯

[置顶] 磁芯测不准，高频高功率电源就选不准：三座测试大山怎么破

第三代半导体 • 2026-08-29 11:12:42

磁芯高频高功率测试导读

[置顶] 西门子：用智能体 AI 压缩芯片与 PCB 验证闭环

行业快讯 • 2026-08-28 17:08:58

西门子智能体EDA快讯

[置顶] 2.5kW 图腾柱无桥 PFC 案例：GaN 导入要把驱动与波形写进清单

第三代半导体 • 2026-08-28 17:08:58

图腾柱GaN PFC案例快讯

[置顶] SiC 功率模块装机榜：国产份额抬头后，工程师更该盯封装与量产一致性

第三代半导体 • 2026-08-28 17:08:58

SiC功率模块TOP10导读

[置顶] 英特尔 × 蓝思：玻璃基板先进封装合作再抬热度

行业快讯 • 2026-08-27 14:27:31

英特尔蓝思玻璃基板封装快讯

[置顶] 安防变焦马达驱动：微步进与 EMI 被重新摆上验证台

行业快讯 • 2026-08-27 14:27:31

瑞盟步进驱动与EMI快讯

[置顶] 新能源重卡充换电组网：磁元件与功率器件要一起进预算

第三代半导体 • 2026-08-27 14:27:31

新能源重卡充换电与磁元件导读

[置顶] 800V 平台上的绝缘监测：干簧继电器为何仍被点名

行业快讯 • 2026-08-26 11:12:17

EV干簧继电器绝缘监测快讯

[置顶] GE Vernova 推中压 UPS：AI 工厂供电保护从低压堆叠往上走

行业快讯 • 2026-08-26 11:12:17

GE Vernova中压UPS快讯

[置顶] GaN 冲上 2200V 之后：高压母线上该怎么重新划分 SiC 与 GaN

第三代半导体 • 2026-08-26 11:12:17

GaN 2200V与SiC边界导读

[置顶] SST 不止算力侧：构网型台区储能被点名为下一增长观察点

第三代半导体 • 2026-08-25 10:59:14

SST与构网型台区储能快讯

[置顶] GaN 功率赛道：价格战与代工稀缺并行，供应链备份被重新摆上台面

第三代半导体 • 2026-08-25 10:59:14

GaN代工与竞争格局快讯

[置顶] 6G 通信电源：HVDC/SST 与图腾柱 PFC 下，SiC 与 GaN 怎么分工

第三代半导体 • 2026-08-25 10:59:14

6G通信电源与SiC/GaN分工导读

[置顶] 数字隔离器新品观察：爬电距离与集成隔离电源被一并点名

行业快讯 • 2026-08-24 10:27:42

数字隔离器爬电与隔离电源快讯

[置顶] SEMI：玻璃核心基板成为先进封装下一阶段观察点

行业快讯 • 2026-08-24 10:27:42

SEMI玻璃核心基板快讯

[置顶] 华东数字电源峰会：AI 电源、光储充与 800V 三代半被放进同一张议程

第三代半导体 • 2026-08-24 10:27:42

华东数字电源峰会导读

[置顶] 平湖实验室：8 吋 GaN-on-SiC 增强型 HEMT 工艺平台亮相

第三代半导体 • 2026-08-23 11:40:36

GaN-on-SiC 8吋工艺快讯

[置顶] 国产 8 英寸 SiC：能量产之后，下一步看良率与成本

第三代半导体 • 2026-08-23 11:40:36

国产8英寸SiC产业化快讯

[置顶] AI 数据中心转向 800V HVDC：SiC 与 GaN 各自守哪一段链路

第三代半导体 • 2026-08-23 11:40:36

800V HVDC 与 SiC/GaN 角色导读

[置顶] 桥式电路 SiC 替换超结：性能好算，驱动与布局不能省

第三代半导体 • 2026-08-21 09:20:14

桥式SiC替换超结注意点

[置顶] 650V SiC 替代超结：行业在谈成本下探，落地仍看驱动门槛

第三代半导体 • 2026-08-21 09:20:14

SiC替代超结驱动力快讯

[置顶] SEMI：2028 年全球半导体设备销售额有望达 2295 亿美元

行业快讯 • 2026-08-20 16:51:20

SEMI 设备市场预测快讯

[置顶] 阳光电源等披露多个 SiC SST 订单：算力中心与充电站加速落地

第三代半导体 • 2026-08-20 16:51:20

SiC SST 订单快讯

[置顶] 功率半导体第三波涨价：AI 800VDC 正在改写交期与选型权重

第三代半导体 • 2026-08-20 16:51:20

功率器件涨价与 800VDC 选型导读

[置顶] SEMI：2026 年二季度全球硅晶圆出货量同比增长 7.4%

行业快讯 • 2026-08-19 08:05:52

SEMI 2026Q2 硅晶圆出货快讯

[置顶] PI 推出 2200V PowiGaN：高压母线时代的 GaN 电压天花板又抬高了

第三代半导体 • 2026-08-19 08:05:52

PI 2200V GaN 技术快讯摘要

[置顶] 2026 功率半导体路线：SiC、GaN 与先进封装如何分流

第三代半导体 • 2026-08-19 08:05:52

SiC/GaN/封装三分天下路线导读

[置顶] COSINE一级代理商嘉威创盈｜COSINE 替代选型表：5 款运放/电源对标 ADI/TI/Microchip

国产替代方案 • 2026-07-20 15:30:43

COSINE五款替代选型表

碳化硅MOSFET和硅基MOSFET对比怎么选？五大核心维度帮你做对决策

行业快讯 • 2026-07-24 12:24:20

碳化硅MOSFET和硅基MOSFET对比详解碳化硅MOSFET和硅基MOSFET对比：从材料特性到应用选型全面分析在电力电子技术快速迭代的今天，功率半导体器件的选型直接影响系统效率、体

第三代半导体 SiC MOSFET 碳化硅MOSFET 功率器件选型硅基MOSFET MOSFET对比

新能源汽车功率器件SiC还是GaN？从应用场景到成本收益的选型答案

行业快讯 • 2026-07-24 12:23:50

新能源汽车功率器件SiC还是GaN？一文看懂选型逻辑新能源汽车功率器件SiC还是GaN？一文看懂选型逻辑随着新能源汽车向800V高压平台全面迈进，功率器件的选型成为影响整车性能的核心

碳化硅宽禁带半导体氮化镓功率器件新能源汽车 800V平台

GaN快充和SiC光伏逆变器选型：从600V分界线到系统TCO的关键决策框架

行业快讯 • 2026-07-24 12:23:36

GaN快充和SiC光伏逆变器选型实操指南 GaN快充和SiC光伏逆变器选型实操指南第三代半导体材料的商用化正在改变电力电子行业的面貌。氮化镓（GaN）和碳化硅（SiC）作为宽禁带半导体

第三代半导体碳化硅氮化镓电子元器件选型 GaN快充 SiC光伏逆变器

光伏逆变器SiC器件怎么选？六大核心参数决定逆变器效率与成本

行业快讯 • 2026-07-24 12:22:58

光伏逆变器SiC器件怎么选 — 从参数到落地的完整选型指南光伏逆变器SiC器件怎么选 — 从参数到落地的实操路径光伏逆变器正在经历一场从硅到碳化硅（SiC）的功率器件升级浪潮。1500

第三代半导体光伏逆变器碳化硅功率器件 SiC器件 SiC MOSFET选型逆变器设计

第三代半导体适合哪些行业？从新能源汽车到数据中心的八大落地场景

行业快讯 • 2026-07-24 12:22:34

第三代半导体适合哪些行业第三代半导体适合哪些行业随着全球能源转型和数字化进程加速，电子系统对功率密度、转换效率和高温可靠性的要求不断提高。传统硅基器件虽然成熟且成本低，但在高电压、高

第三代半导体碳化硅氮化镓 SiC GaN 功率器件

SiC MOSFET选型要注意什么？从耐压裕量到驱动芯片选型的七个关键维度

第三代半导体 • 2026-07-23 09:58:30

随着电动汽车、光伏逆变器、储能系统和工业电源向高电压、高频率、高效率方向持续演进，碳化硅功率器件正加速取代传统硅基IGBT和MOSFET。与硅器件相比，SiC MOSFET在耐压能力、开关速度、热导率

第三代半导体 SiC MOSFET 功率器件驱动电路设计碳化硅选型热管理

SiC衬底全球份额过半，国产第三代半导体替代方案进入加速期

第三代半导体 • 2026-07-23 09:59:28

国产第三代半导体替代方案引言以碳化硅（SiC）和氮化镓（GaN）为代表的第三代半导体材料，正加速替代传统硅基器件。国产第三代半导体替代方案已从实验室走向规模化量产，从衬底到器件再到封装

第三代半导体嘉威创盈碳化硅衬底 GaN国产替代 SiC国产替代车规级功率器件

碳化硅SiC和氮化镓GaN的区别：650V是分水岭，五个维度锁定选型方向

第三代半导体 • 2026-07-23 10:00:11

碳化硅SiC和氮化镓GaN的区别：两种宽禁带半导体的全面对比在功率电子领域，以碳化硅（SiC）和氮化镓（GaN）为代表的第三代宽禁带半导体，正在全面超越传统硅（Si）基器件的性能天花板。两者的共同优

第三代半导体宽禁带半导体选型指南碳化硅SiC 氮化镓GaN 功率电子

第三代半导体成本比硅基贵多少？三个层面的真实成本账本

第三代半导体 • 2026-07-23 10:33:27

第三代半导体（碳化硅 SiC、氮化镓 GaN）近年来热度持续攀升，从新能源汽车到 5G 基站，从快充适配器到光伏逆变器，到处都能看到它的身影。但一个绕不开的问题是：第三代半导体成本比硅基贵多少？贵出来

第三代半导体 SiC GaN 功率器件元器件选型碳化硅成本

第三代半导体应用场景全盘点：SiC与GaN正在改变这6大行业

第三代半导体 • 2026-07-23 10:33:54

第三代半导体材料——以碳化硅（SiC）和氮化镓（GaN）为核心代表的宽禁带半导体——正在重塑电力电子、射频通信和光电子等多个产业的技术格局。相比传统的硅基材料，SiC和GaN具备更宽的禁带宽度、更高的

第三代半导体碳化硅氮化镓 SiC GaN 半导体应用

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