电子元器件资讯中心_半导体行业快讯与技术文章_第23页-嘉威创盈
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  • 气相高选择性刻蚀首台付运:脉冲气体和基座温控分开看

    [置顶] 气相高选择性刻蚀首台付运:脉冲气体和基座温控分开看

    行业快讯 • 2026-10-23 09:08:09

    中微气相高选择性刻蚀首台付运

  • 1mm 内窥镜传感器改数字输出:5 米电缆先别按模拟噪声估

    [置顶] 1mm 内窥镜传感器改数字输出:5 米电缆先别按模拟噪声估

    行业快讯 • 2026-10-23 09:08:09

    IMX742 1mm 内窥镜数字输出快讯

  • 手持超声发射抬到 ±100V:256 通道先别当成同时发射

    [置顶] 手持超声发射抬到 ±100V:256 通道先别当成同时发射

    行业快讯 • 2026-10-23 09:08:09

    手持超声 ±100V 发射与通道数导读

  • 750W 无风扇医疗电源:BF 级先看患者漏电流

    [置顶] 750W 无风扇医疗电源:BF 级先看患者漏电流

    行业快讯 • 2026-10-22 09:08:02

    750W无风扇BF级医疗电源快讯

  • 隔离栅驱把偏置一起送过隔离:碳化硅负压别再外挂一路

    [置顶] 隔离栅驱把偏置一起送过隔离:碳化硅负压别再外挂一路

    第三代半导体 • 2026-10-22 09:08:02

    隔离式碳化硅栅极驱动快讯

  • 储能 ANPC 内侧碳化硅:源极电感不对称,栅压会先越限

    [置顶] 储能 ANPC 内侧碳化硅:源极电感不对称,栅压会先越限

    第三代半导体 • 2026-10-22 09:08:02

    储能ANPC内侧碳化硅串扰导读

  • 垂直堆叠晶体管:单片对齐和顺序错位不是同一条工艺

    [置顶] 垂直堆叠晶体管:单片对齐和顺序错位不是同一条工艺

    行业快讯 • 2026-10-21 09:07:45

    CFET 单片与顺序堆叠快讯

  • 100V 双向氮化镓:370A 是脉冲,5V 栅压别套半桥钳位

    [置顶] 100V 双向氮化镓:370A 是脉冲,5V 栅压别套半桥钳位

    第三代半导体 • 2026-10-21 09:07:45

    100V 双向 GaN 快讯

  • 1.92mm 的 4A 模块:高度先卡住,EMI 和轨上噪声再分开看

    [置顶] 1.92mm 的 4A 模块:高度先卡住,EMI 和轨上噪声再分开看

    行业快讯 • 2026-10-21 09:07:45

    1.92mm 超薄电源模块导读

  • 100V 增强型 GaN 半桥:自举过充先钳住,再谈 6V 栅压

    [置顶] 100V 增强型 GaN 半桥:自举过充先钳住,再谈 6V 栅压

    第三代半导体 • 2026-10-20 09:08:01

    100V增强型氮化镓半桥驱动快讯

  • 磁件测到 5GHz:3GHz 带宽会把谐振峰截掉

    [置顶] 磁件测到 5GHz:3GHz 带宽会把谐振峰截掉

    行业快讯 • 2026-10-20 09:08:01

    5GHz磁件工况测试快讯

  • 兆瓦级充电先测什么:1500V、3000A 下实验室过了不算过

    [置顶] 兆瓦级充电先测什么:1500V、3000A 下实验室过了不算过

    行业快讯 • 2026-10-20 09:08:01

    兆瓦级充电系统测试方法导读

  • SOT-227 里的 650V 超结:电流档上去,栅荷跟着上去

    [置顶] SOT-227 里的 650V 超结:电流档上去,栅荷跟着上去

    行业快讯 • 2026-10-19 09:07:46

    650V超结SOT-227模块快讯

  • 3kW 交错 LLC 报到 97.3%:动态和磁芯温升先写进同一张表

    [置顶] 3kW 交错 LLC 报到 97.3%:动态和磁芯温升先写进同一张表

    第三代半导体 • 2026-10-19 09:07:46

    3kW碳化硅交错LLC参考方案快讯

  • 平面栅碳化硅换代:比导通电阻下降后,先核短路与封装

    [置顶] 平面栅碳化硅换代:比导通电阻下降后,先核短路与封装

    第三代半导体 • 2026-10-19 09:07:46

    平面栅碳化硅多代器件导读

  • 300mm 设备支出看到 2029:功率料交期别套这张表

    [置顶] 300mm 设备支出看到 2029:功率料交期别套这张表

    行业快讯 • 2026-10-16 09:07:40

    SEMI 300mm设备支出快讯

  • AI 末级电感:VPD 管摆放,TLVR 管怎么耦合

    [置顶] AI 末级电感:VPD 管摆放,TLVR 管怎么耦合

    行业快讯 • 2026-10-16 09:07:40

    AI末级TLVR与VPD电感快讯

  • 800V 常通断路器:切断要快,通态损耗先算清

    [置顶] 800V 常通断路器:切断要快,通态损耗先算清

    第三代半导体 • 2026-10-16 09:07:40

    800V常通固态断路器导读

  • 270–800V 航空母线:TVS 先看钳位会不会把后级闩住

    [置顶] 270–800V 航空母线:TVS 先看钳位会不会把后级闩住

    行业快讯 • 2026-10-15 09:08:29

    航空高压直流母线 TVS 快讯

  • 热失控的 5 分钟:气压比贴片 NTC 更早,休眠电流另算

    [置顶] 热失控的 5 分钟:气压比贴片 NTC 更早,休眠电流另算

    行业快讯 • 2026-10-15 09:08:29

    电池包热失控气压监测快讯

  • 储能变流多出的 0.4%:混合碳化硅先核哪三级

    [置顶] 储能变流多出的 0.4%:混合碳化硅先核哪三级

    第三代半导体 • 2026-10-15 09:08:29

    公用事业储能混合碳化硅模块导读

  • 顶层散热电阻的 35W:先问壳温还是问铜皮

    [置顶] 顶层散热电阻的 35W:先问壳温还是问铜皮

    行业快讯 • 2026-10-14 09:09:56

    Vishay顶层散热功率电阻快讯

  • 1.8V 轨上的电子保险丝:屏蔽时间和短路跳闸不是同一档

    [置顶] 1.8V 轨上的电子保险丝:屏蔽时间和短路跳闸不是同一档

    行业快讯 • 2026-10-14 09:09:56

    东芝TCKE5低压电子保险丝快讯

  • 核压毛刺只有纳秒:3GSPS 遥测先分清采在哪一级

    [置顶] 核压毛刺只有纳秒:3GSPS 遥测先分清采在哪一级

    行业快讯 • 2026-10-14 09:09:56

    AI核压纳秒级遥测导读

  • 800V 直降 6V:拿掉中间母线后先核堆叠半桥

    [置顶] 800V 直降 6V:拿掉中间母线后先核堆叠半桥

    第三代半导体 • 2026-10-12 09:09:35

    800V直降6V氮化镓快讯

  • 车规 SiC 模块交期:满产、封顶和送样不是同一窗口

    [置顶] 车规 SiC 模块交期:满产、封顶和送样不是同一窗口

    第三代半导体 • 2026-10-12 09:09:35

    车规碳化硅模块交期快讯

  • 开关电源磁件:正弦损耗曲线先别直接套进台架

    [置顶] 开关电源磁件:正弦损耗曲线先别直接套进台架

    行业快讯 • 2026-10-12 09:09:35

    非正弦励磁磁件损耗导读

  • PCIe 升到 64 GT/s:AI 服务器内存连接从插拔走向压接

    [置顶] PCIe 升到 64 GT/s:AI 服务器内存连接从插拔走向压接

    行业快讯 • 2026-10-09 09:10:53

    AI服务器PCIe与压接内存连接快讯

  • 关节与电调:AI 下沉后 MCU、采样和功率级要一起改

    [置顶] 关节与电调:AI 下沉后 MCU、采样和功率级要一起改

    第三代半导体 • 2026-10-09 09:10:53

    关节电调MCU与功率级同步升级快讯

  • AI 电源验证先拆三层:EDPP 动态、短时峰值、MW 级回馈

    [置顶] AI 电源验证先拆三层:EDPP 动态、短时峰值、MW 级回馈

    第三代半导体 • 2026-10-09 09:10:53

    AI电源EDPP动态与MW级回馈导读

  • 600V 超结换代:壳温少 5% 之后还要看振荡和雪崩

    [置顶] 600V 超结换代:壳温少 5% 之后还要看振荡和雪崩

    行业快讯 • 2026-10-08 09:10:01

    美格纳第六代超结MOSFET快讯

  • 100V 增强型氮化镓:48V 母线先别照搬 650V 栅极

    [置顶] 100V 增强型氮化镓:48V 母线先别照搬 650V 栅极

    第三代半导体 • 2026-10-08 09:10:01

    瑞萨100V增强型氮化镓快讯

  • 牵引逆变器栅极改电流型:SiC 与 IGBT 先核哪三件事

    [置顶] 牵引逆变器栅极改电流型:SiC 与 IGBT 先核哪三件事

    第三代半导体 • 2026-10-08 09:10:01

    Si829x 可变电流栅极驱动导读

  • 300mm SiC 衬底做出样品:量产仍先看 200mm

    [置顶] 300mm SiC 衬底做出样品:量产仍先看 200mm

    第三代半导体 • 2026-10-07 09:07:15

    300mm SiC 衬底快讯

  • 电源环路要更快:PSOC Control C3 先核采样还是主频

    [置顶] 电源环路要更快:PSOC Control C3 先核采样还是主频

    行业快讯 • 2026-10-07 09:07:15

    PSOC Control C3 电源控制快讯

  • 650V GaN 改双面散热:800V 中间母线先核哪三件事

    [置顶] 650V GaN 改双面散热:800V 中间母线先核哪三件事

    第三代半导体 • 2026-10-07 09:07:15

    650V GaN 双面散热导读

  • 800V 电池包里做 48V:线束短了,母线档不能降

    [置顶] 800V 电池包里做 48V:线束短了,母线档不能降

    行业快讯 • 2026-10-06 09:27:14

    800V 电池包内 48V 区域供电快讯

  • 大电流连接器耐压:空气间隙比绝缘体更先见底

    [置顶] 大电流连接器耐压:空气间隙比绝缘体更先见底

    行业快讯 • 2026-10-06 09:27:14

    大电流连接器空气间隙耐压快讯

  • 沟槽栅 SiC 的阈值会漂:交变栅压先核哪三件事

    [置顶] 沟槽栅 SiC 的阈值会漂:交变栅压先核哪三件事

    第三代半导体 • 2026-10-06 09:27:14

    沟槽栅 SiC 阈值漂移导读

  • 12V/24V 母线用 LDO:耐压档和传感器档不要合成一颗

    [置顶] 12V/24V 母线用 LDO:耐压档和传感器档不要合成一颗

    行业快讯 • 2026-10-05 09:20:03

    中低压LDO按母线与传感器分档

  • 光模块电源树:核压 6A 之后,高度和纹波要分开核

    [置顶] 光模块电源树:核压 6A 之后,高度和纹波要分开核

    行业快讯 • 2026-10-05 09:20:03

    光模块多轨电源树导读

  • 车规 60V 整流:室温压降盖不住高温漏电

    [置顶] 车规 60V 整流:室温压降盖不住高温漏电

    行业快讯 • 2026-10-05 09:16:32

    车规60V场板整流快讯

  • 电源数字环路:PSOC Control C3 先对上宽禁带开关窗口

    [置顶] 电源数字环路:PSOC Control C3 先对上宽禁带开关窗口

    行业快讯 • 2026-10-02 09:26:47

    PSOC Control C3电源控制MCU快讯

  • AI 电源台架:EDPP 动态、短时峰值和回馈要分开核

    [置顶] AI 电源台架:EDPP 动态、短时峰值和回馈要分开核

    第三代半导体 • 2026-10-02 09:26:47

    AI电源高动态回馈测试导读

  • AI 电源磁件:频率上去之后,体积和损耗怎么分

    [置顶] AI 电源磁件:频率上去之后,体积和损耗怎么分

    行业快讯 • 2026-10-02 09:24:31

    AI电源高频磁件取舍快讯

  • 1400V 主驱 SiC 上车:击穿余量、均流和杂感要一起看

    [置顶] 1400V 主驱 SiC 上车:击穿余量、均流和杂感要一起看

    第三代半导体 • 2026-10-01 09:05:52

    1400V车规SiC主驱模块上车快讯

  • 户用储能换 1200V SiC:顶部散热封装改了哪几项损耗

    [置顶] 户用储能换 1200V SiC:顶部散热封装改了哪几项损耗

    第三代半导体 • 2026-10-01 09:05:52

    户用储能1200V SiC顶部散热快讯

  • 8×8 双面散热 650V GaN:占板缩小之后先核哪三件事

    [置顶] 8×8 双面散热 650V GaN:占板缩小之后先核哪三件事

    第三代半导体 • 2026-10-01 09:05:52

    瑞萨8×8双面散热650V GaN导读

  • 泊车超声收到 6 cm:原始波形进 ECU 后先核三件事

    [置顶] 泊车超声收到 6 cm:原始波形进 ECU 后先核三件事

    行业快讯 • 2026-09-30 09:15:14

    第六代AK2泊车超声导读

  • 连接器微动腐蚀:界面位移比 G 值更该先看

    [置顶] 连接器微动腐蚀:界面位移比 G 值更该先看

    行业快讯 • 2026-09-30 09:13:15

    连接器振动微动腐蚀快讯

  • 12 英寸 SiC 衬底做出了,近端窗口仍在 200 mm

    [置顶] 12 英寸 SiC 衬底做出了,近端窗口仍在 200 mm

    第三代半导体 • 2026-09-30 09:13:15

    300mm碳化硅衬底量产窗口快讯

  • 主吸电机链路:6N 栅驱如何对上双 N MOSFET

    [置顶] 主吸电机链路:6N 栅驱如何对上双 N MOSFET

    行业快讯 • 2026-09-29 09:12:24

    扫地机主吸电机驱动快讯

  • 200 mm 碳化硅衬底分出高端档:微管密度怎么读

    [置顶] 200 mm 碳化硅衬底分出高端档:微管密度怎么读

    第三代半导体 • 2026-09-29 09:12:24

    200mm碳化硅高端衬底快讯

  • SST 软磁怎么选:非晶进整机前先核这三件事

    [置顶] SST 软磁怎么选:非晶进整机前先核这三件事

    第三代半导体 • 2026-09-29 09:12:24

    SST软磁材料选型导读

  • 电源环路 MCU:150ps HRPWM 与图腾柱时序要一起看

    [置顶] 电源环路 MCU:150ps HRPWM 与图腾柱时序要一起看

    行业快讯 • 2026-09-28 12:23:27

    电源控制 MCU HRPWM 快讯

  • 3300V SiC 模块把二极管 I²t 写进规格:异常浪涌怎么读

    [置顶] 3300V SiC 模块把二极管 I²t 写进规格:异常浪涌怎么读

    第三代半导体 • 2026-09-28 12:23:27

    3300V SiC 模块浪涌 I²t 快讯

  • 碳化硅超级结:比导通电阻落到 1.27 mΩ·cm² 后先核这三件事

    [置顶] 碳化硅超级结:比导通电阻落到 1.27 mΩ·cm² 后先核这三件事

    第三代半导体 • 2026-09-28 12:23:27

    碳化硅超级结 MOSFET 导读

  • 电源并联 ORing:肖特基何时该换成 MOSFET 有源方案

    [置顶] 电源并联 ORing:肖特基何时该换成 MOSFET 有源方案

    行业快讯 • 2026-09-23 15:38:10

    有源ORing与二极管方案选型快讯

  • 储能用 SiC:户储走分立,大储为何更看模块

    [置顶] 储能用 SiC:户储走分立,大储为何更看模块

    第三代半导体 • 2026-09-23 15:38:10

    储能SiC分立与模块分流快讯

  • 成熟制程再涨价:2027 年调价前 BOM 先分清哪三层

    [置顶] 成熟制程再涨价:2027 年调价前 BOM 先分清哪三层

    行业快讯 • 2026-09-23 15:38:10

    成熟制程代工涨价与BOM评估导读

  • 只改绕序降漏感:为何单体合格整机却批量失效

    [置顶] 只改绕序降漏感:为何单体合格整机却批量失效

    行业快讯 • 2026-09-20 12:23:34

    变压器改绕序批量失效快讯

  • 安世双供应链:MOSFET 产地变更后 AVL 要补什么

    [置顶] 安世双供应链:MOSFET 产地变更后 AVL 要补什么

    行业快讯 • 2026-09-20 12:23:34

    安世MOSFET双供应链快讯

  • 功率嵌进硅晶圆:EPP 之后分立器件清单还够用吗

    [置顶] 功率嵌进硅晶圆:EPP 之后分立器件清单还够用吗

    第三代半导体 • 2026-09-20 12:23:34

    安森美EPP嵌入硅功率平台导读

  • AI 电源上 800V:SiC、Si、GaN 各管哪一段

    [置顶] AI 电源上 800V:SiC、Si、GaN 各管哪一段

    第三代半导体 • 2026-09-18 09:41:16

    AI 800V HVDC 中 SiC/Si/GaN 角色快讯

  • 硅片全尺寸涨价:6/8/12 英寸涨价如何传到器件 BOM

    [置顶] 硅片全尺寸涨价:6/8/12 英寸涨价如何传到器件 BOM

    行业快讯 • 2026-09-18 09:41:16

    半导体硅片全尺寸涨价快讯

  • 功率器件涨价潮:超过 22 家调价后,BOM 先锁哪三件事

    [置顶] 功率器件涨价潮:超过 22 家调价后,BOM 先锁哪三件事

    第三代半导体 • 2026-09-18 09:41:16

    功率器件涨价潮与BOM评估导读

  • 光储调价 5%–15%:中压并网与储能变流为何涨最多

    [置顶] 光储调价 5%–15%:中压并网与储能变流为何涨最多

    第三代半导体 • 2026-09-16 09:43:37

    光储产品调价与BOM成本快讯

  • 车规磁件的门槛:AEC-Q200 认证在验什么

    [置顶] 车规磁件的门槛:AEC-Q200 认证在验什么

    行业快讯 • 2026-09-16 09:43:37

    AEC-Q200车规磁件认证快讯

  • 车规 SiC 主驱:比导通电阻下降后要复核什么

    [置顶] 车规 SiC 主驱:比导通电阻下降后要复核什么

    第三代半导体 • 2026-09-16 09:43:37

    车规SiC主驱芯片与模块导读

  • 电流传感器精度:灵敏度和零点偏移谁在主导

    [置顶] 电流传感器精度:灵敏度和零点偏移谁在主导

    行业快讯 • 2026-09-15 09:43:39

    电流传感器灵敏度与偏移快讯

  • AI 芯片电源难测:SI 与 PI 已经绑在一起

    [置顶] AI 芯片电源难测:SI 与 PI 已经绑在一起

    第三代半导体 • 2026-09-15 09:43:39

    AI芯片电源完整性快讯

  • SiC 要不要负压关断:先分单管还是桥臂

    [置顶] SiC 要不要负压关断:先分单管还是桥臂

    第三代半导体 • 2026-09-15 09:43:39

    SiC负压关断按拓扑分流导读

  • 从帕到兆帕的压力传感:前端运放量程不能只按满量程算

    [置顶] 从帕到兆帕的压力传感:前端运放量程不能只按满量程算

    行业快讯 • 2026-09-14 09:38:45

    Pa到MPa压力传感快讯

  • 机器人关节连接器:15A 电源与 1Gbps 挤进 5.65mm

    [置顶] 机器人关节连接器:15A 电源与 1Gbps 挤进 5.65mm

    行业快讯 • 2026-09-14 09:38:45

    机器人关节混合连接器快讯

  • 释放 GaN 先过驱动关:误导通、负压关断与自举过压

    [置顶] 释放 GaN 先过驱动关:误导通、负压关断与自举过压

    第三代半导体 • 2026-09-14 09:38:45

    GaN驱动误导通与自举过压导读

  • 车规功率电感扩规格:ADAS 电源要把磁件与开关管同验

    [置顶] 车规功率电感扩规格:ADAS 电源要把磁件与开关管同验

    行业快讯 • 2026-09-12 07:39:10

    车规功率电感扩规格快讯

  • 500V 集成三相驱动:风扇泵阀何时不必上分立宽禁带

    [置顶] 500V 集成三相驱动:风扇泵阀何时不必上分立宽禁带

    第三代半导体 • 2026-09-12 07:39:10

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