电子元器件资讯中心_半导体行业快讯与技术文章

[置顶] 气相高选择性刻蚀首台付运：脉冲气体和基座温控分开看

行业快讯 • 2026-10-23 09:08:09

中微气相高选择性刻蚀首台付运

[置顶] 1mm 内窥镜传感器改数字输出：5 米电缆先别按模拟噪声估

行业快讯 • 2026-10-23 09:08:09

IMX742 1mm 内窥镜数字输出快讯

[置顶] 手持超声发射抬到 ±100V：256 通道先别当成同时发射

行业快讯 • 2026-10-23 09:08:09

手持超声 ±100V 发射与通道数导读

[置顶] 750W 无风扇医疗电源：BF 级先看患者漏电流

行业快讯 • 2026-10-22 09:08:02

750W无风扇BF级医疗电源快讯

[置顶] 隔离栅驱把偏置一起送过隔离：碳化硅负压别再外挂一路

第三代半导体 • 2026-10-22 09:08:02

隔离式碳化硅栅极驱动快讯

[置顶] 储能 ANPC 内侧碳化硅：源极电感不对称，栅压会先越限

第三代半导体 • 2026-10-22 09:08:02

储能ANPC内侧碳化硅串扰导读

[置顶] 垂直堆叠晶体管：单片对齐和顺序错位不是同一条工艺

行业快讯 • 2026-10-21 09:07:45

CFET 单片与顺序堆叠快讯

[置顶] 100V 双向氮化镓：370A 是脉冲，5V 栅压别套半桥钳位

第三代半导体 • 2026-10-21 09:07:45

100V 双向 GaN 快讯

[置顶] 1.92mm 的 4A 模块：高度先卡住，EMI 和轨上噪声再分开看

行业快讯 • 2026-10-21 09:07:45

1.92mm 超薄电源模块导读

[置顶] 100V 增强型 GaN 半桥：自举过充先钳住，再谈 6V 栅压

第三代半导体 • 2026-10-20 09:08:01

100V增强型氮化镓半桥驱动快讯

[置顶] 磁件测到 5GHz：3GHz 带宽会把谐振峰截掉

行业快讯 • 2026-10-20 09:08:01

5GHz磁件工况测试快讯

[置顶] 兆瓦级充电先测什么：1500V、3000A 下实验室过了不算过

行业快讯 • 2026-10-20 09:08:01

兆瓦级充电系统测试方法导读

[置顶] SOT-227 里的 650V 超结：电流档上去，栅荷跟着上去

行业快讯 • 2026-10-19 09:07:46

650V超结SOT-227模块快讯

[置顶] 3kW 交错 LLC 报到 97.3%：动态和磁芯温升先写进同一张表

第三代半导体 • 2026-10-19 09:07:46

3kW碳化硅交错LLC参考方案快讯

[置顶] 平面栅碳化硅换代：比导通电阻下降后，先核短路与封装

第三代半导体 • 2026-10-19 09:07:46

平面栅碳化硅多代器件导读

[置顶] 300mm 设备支出看到 2029：功率料交期别套这张表

行业快讯 • 2026-10-16 09:07:40

SEMI 300mm设备支出快讯

[置顶] AI 末级电感：VPD 管摆放，TLVR 管怎么耦合

行业快讯 • 2026-10-16 09:07:40

AI末级TLVR与VPD电感快讯

[置顶] 800V 常通断路器：切断要快，通态损耗先算清

第三代半导体 • 2026-10-16 09:07:40

800V常通固态断路器导读

[置顶] 270–800V 航空母线：TVS 先看钳位会不会把后级闩住

行业快讯 • 2026-10-15 09:08:29

航空高压直流母线 TVS 快讯

[置顶] 热失控的 5 分钟：气压比贴片 NTC 更早，休眠电流另算

行业快讯 • 2026-10-15 09:08:29

电池包热失控气压监测快讯

[置顶] 储能变流多出的 0.4%：混合碳化硅先核哪三级

第三代半导体 • 2026-10-15 09:08:29

公用事业储能混合碳化硅模块导读

[置顶] 顶层散热电阻的 35W：先问壳温还是问铜皮

行业快讯 • 2026-10-14 09:09:56

Vishay顶层散热功率电阻快讯

[置顶] 1.8V 轨上的电子保险丝：屏蔽时间和短路跳闸不是同一档

行业快讯 • 2026-10-14 09:09:56

东芝TCKE5低压电子保险丝快讯

[置顶] 核压毛刺只有纳秒：3GSPS 遥测先分清采在哪一级

行业快讯 • 2026-10-14 09:09:56

AI核压纳秒级遥测导读

[置顶] 800V 直降 6V：拿掉中间母线后先核堆叠半桥

第三代半导体 • 2026-10-12 09:09:35

800V直降6V氮化镓快讯

[置顶] 车规 SiC 模块交期：满产、封顶和送样不是同一窗口

第三代半导体 • 2026-10-12 09:09:35

车规碳化硅模块交期快讯

[置顶] 开关电源磁件：正弦损耗曲线先别直接套进台架

行业快讯 • 2026-10-12 09:09:35

非正弦励磁磁件损耗导读

[置顶] PCIe 升到 64 GT/s：AI 服务器内存连接从插拔走向压接

行业快讯 • 2026-10-09 09:10:53

AI服务器PCIe与压接内存连接快讯

[置顶] 关节与电调：AI 下沉后 MCU、采样和功率级要一起改

第三代半导体 • 2026-10-09 09:10:53

关节电调MCU与功率级同步升级快讯

[置顶] AI 电源验证先拆三层：EDPP 动态、短时峰值、MW 级回馈

第三代半导体 • 2026-10-09 09:10:53

AI电源EDPP动态与MW级回馈导读

[置顶] 600V 超结换代：壳温少 5% 之后还要看振荡和雪崩

行业快讯 • 2026-10-08 09:10:01

美格纳第六代超结MOSFET快讯

[置顶] 100V 增强型氮化镓：48V 母线先别照搬 650V 栅极

第三代半导体 • 2026-10-08 09:10:01

瑞萨100V增强型氮化镓快讯

[置顶] 牵引逆变器栅极改电流型：SiC 与 IGBT 先核哪三件事

第三代半导体 • 2026-10-08 09:10:01

Si829x 可变电流栅极驱动导读

[置顶] 300mm SiC 衬底做出样品：量产仍先看 200mm

第三代半导体 • 2026-10-07 09:07:15

300mm SiC 衬底快讯

[置顶] 电源环路要更快：PSOC Control C3 先核采样还是主频

行业快讯 • 2026-10-07 09:07:15

PSOC Control C3 电源控制快讯

[置顶] 650V GaN 改双面散热：800V 中间母线先核哪三件事

第三代半导体 • 2026-10-07 09:07:15

650V GaN 双面散热导读

[置顶] 800V 电池包里做 48V：线束短了，母线档不能降

行业快讯 • 2026-10-06 09:27:14

800V 电池包内 48V 区域供电快讯

[置顶] 大电流连接器耐压：空气间隙比绝缘体更先见底

行业快讯 • 2026-10-06 09:27:14

大电流连接器空气间隙耐压快讯

[置顶] 沟槽栅 SiC 的阈值会漂：交变栅压先核哪三件事

第三代半导体 • 2026-10-06 09:27:14

沟槽栅 SiC 阈值漂移导读

[置顶] 12V/24V 母线用 LDO：耐压档和传感器档不要合成一颗

行业快讯 • 2026-10-05 09:20:03

中低压LDO按母线与传感器分档

[置顶] 光模块电源树：核压 6A 之后，高度和纹波要分开核

行业快讯 • 2026-10-05 09:20:03

光模块多轨电源树导读

[置顶] 车规 60V 整流：室温压降盖不住高温漏电

行业快讯 • 2026-10-05 09:16:32

车规60V场板整流快讯

[置顶] 电源数字环路：PSOC Control C3 先对上宽禁带开关窗口

行业快讯 • 2026-10-02 09:26:47

PSOC Control C3电源控制MCU快讯

[置顶] AI 电源台架：EDPP 动态、短时峰值和回馈要分开核

第三代半导体 • 2026-10-02 09:26:47

AI电源高动态回馈测试导读

[置顶] AI 电源磁件：频率上去之后，体积和损耗怎么分

行业快讯 • 2026-10-02 09:24:31

AI电源高频磁件取舍快讯

[置顶] 1400V 主驱 SiC 上车：击穿余量、均流和杂感要一起看

第三代半导体 • 2026-10-01 09:05:52

1400V车规SiC主驱模块上车快讯

[置顶] 户用储能换 1200V SiC：顶部散热封装改了哪几项损耗

第三代半导体 • 2026-10-01 09:05:52

户用储能1200V SiC顶部散热快讯

[置顶] 8×8 双面散热 650V GaN：占板缩小之后先核哪三件事

第三代半导体 • 2026-10-01 09:05:52

瑞萨8×8双面散热650V GaN导读

[置顶] 泊车超声收到 6 cm：原始波形进 ECU 后先核三件事

行业快讯 • 2026-09-30 09:15:14

第六代AK2泊车超声导读

[置顶] 连接器微动腐蚀：界面位移比 G 值更该先看

行业快讯 • 2026-09-30 09:13:15

连接器振动微动腐蚀快讯

[置顶] 12 英寸 SiC 衬底做出了，近端窗口仍在 200 mm

第三代半导体 • 2026-09-30 09:13:15

300mm碳化硅衬底量产窗口快讯

[置顶] 主吸电机链路：6N 栅驱如何对上双 N MOSFET

行业快讯 • 2026-09-29 09:12:24

扫地机主吸电机驱动快讯

[置顶] 200 mm 碳化硅衬底分出高端档：微管密度怎么读

第三代半导体 • 2026-09-29 09:12:24

200mm碳化硅高端衬底快讯

[置顶] SST 软磁怎么选：非晶进整机前先核这三件事

第三代半导体 • 2026-09-29 09:12:24

SST软磁材料选型导读

[置顶] 电源环路 MCU：150ps HRPWM 与图腾柱时序要一起看

行业快讯 • 2026-09-28 12:23:27

电源控制 MCU HRPWM 快讯

[置顶] 3300V SiC 模块把二极管 I²t 写进规格：异常浪涌怎么读

第三代半导体 • 2026-09-28 12:23:27

3300V SiC 模块浪涌 I²t 快讯

[置顶] 碳化硅超级结：比导通电阻落到 1.27 mΩ·cm² 后先核这三件事

第三代半导体 • 2026-09-28 12:23:27

碳化硅超级结 MOSFET 导读

[置顶] 电源并联 ORing：肖特基何时该换成 MOSFET 有源方案

行业快讯 • 2026-09-23 15:38:10

有源ORing与二极管方案选型快讯

[置顶] 储能用 SiC：户储走分立，大储为何更看模块

第三代半导体 • 2026-09-23 15:38:10

储能SiC分立与模块分流快讯

[置顶] 成熟制程再涨价：2027 年调价前 BOM 先分清哪三层

行业快讯 • 2026-09-23 15:38:10

成熟制程代工涨价与BOM评估导读

[置顶] 只改绕序降漏感：为何单体合格整机却批量失效

行业快讯 • 2026-09-20 12:23:34

变压器改绕序批量失效快讯

[置顶] 安世双供应链：MOSFET 产地变更后 AVL 要补什么

行业快讯 • 2026-09-20 12:23:34

安世MOSFET双供应链快讯

[置顶] 功率嵌进硅晶圆：EPP 之后分立器件清单还够用吗

第三代半导体 • 2026-09-20 12:23:34

安森美EPP嵌入硅功率平台导读

[置顶] AI 电源上 800V：SiC、Si、GaN 各管哪一段

第三代半导体 • 2026-09-18 09:41:16

AI 800V HVDC 中 SiC/Si/GaN 角色快讯

[置顶] 硅片全尺寸涨价：6/8/12 英寸涨价如何传到器件 BOM

行业快讯 • 2026-09-18 09:41:16

半导体硅片全尺寸涨价快讯

[置顶] 功率器件涨价潮：超过 22 家调价后，BOM 先锁哪三件事

第三代半导体 • 2026-09-18 09:41:16

功率器件涨价潮与BOM评估导读

[置顶] 光储调价 5%–15%：中压并网与储能变流为何涨最多

第三代半导体 • 2026-09-16 09:43:37

光储产品调价与BOM成本快讯

[置顶] 车规磁件的门槛：AEC-Q200 认证在验什么

行业快讯 • 2026-09-16 09:43:37

AEC-Q200车规磁件认证快讯

[置顶] 车规 SiC 主驱：比导通电阻下降后要复核什么

第三代半导体 • 2026-09-16 09:43:37

车规SiC主驱芯片与模块导读

[置顶] 电流传感器精度：灵敏度和零点偏移谁在主导

行业快讯 • 2026-09-15 09:43:39

电流传感器灵敏度与偏移快讯

[置顶] AI 芯片电源难测：SI 与 PI 已经绑在一起

第三代半导体 • 2026-09-15 09:43:39

AI芯片电源完整性快讯

[置顶] SiC 要不要负压关断：先分单管还是桥臂

第三代半导体 • 2026-09-15 09:43:39

SiC负压关断按拓扑分流导读

[置顶] 从帕到兆帕的压力传感：前端运放量程不能只按满量程算

行业快讯 • 2026-09-14 09:38:45

Pa到MPa压力传感快讯

[置顶] 机器人关节连接器：15A 电源与 1Gbps 挤进 5.65mm

行业快讯 • 2026-09-14 09:38:45

机器人关节混合连接器快讯

[置顶] 释放 GaN 先过驱动关：误导通、负压关断与自举过压

第三代半导体 • 2026-09-14 09:38:45

GaN驱动误导通与自举过压导读

[置顶] 车规功率电感扩规格：ADAS 电源要把磁件与开关管同验

行业快讯 • 2026-09-12 07:39:10

车规功率电感扩规格快讯

[置顶] 500V 集成三相驱动：风扇泵阀何时不必上分立宽禁带

第三代半导体 • 2026-09-12 07:39:10

500V集成三相电机驱动快讯

[置顶] 光伏电弧与功率噪声：GaN、信号链、边缘检测要同一张台架

第三代半导体 • 2026-09-12 07:39:10

功率噪声与电弧检测导读

[置顶] 功率 GaN 份额抬头后：系统厂更该盯电压档与第二货源

第三代半导体 • 2026-09-11 10:17:05

功率GaN份额与选型快讯

[置顶] AI 基础设施：800V DC 从电网到栅极在卡什么

第三代半导体 • 2026-09-11 10:17:05

TI 800V AI基础设施快讯

[置顶] 运放失调与增益误差：先算预算，再决定校准还是换料

行业快讯 • 2026-09-11 10:17:05

运放失调与增益误差校准导读

[置顶] 电源全链路：从 DrMOS 到高耐压 SiC，卡点常在驱动与采样

第三代半导体 • 2026-09-10 10:55:49

电源全链路DrMOS到SiC快讯

[置顶] 600V 超结 MOSFET：体二极管与顶部散热比 RDS(on) 更早卡点

第三代半导体 • 2026-09-10 10:55:49

600V超结体二极管与散热快讯

[置顶] SST 高频利兹线：普通民用线为何扛不住陡脉冲满载

第三代半导体 • 2026-09-10 10:55:49

SST高频利兹线选型导读

[置顶] 大电流逆变器电感：FeSi 磁粉芯与锰锌铁氧体怎么对照

第三代半导体 • 2026-09-07 11:52:00

大电流逆变器电感磁芯快讯

[置顶] 交流耦合储能：母线 700～1500V 时开关耐压怎么分档

第三代半导体 • 2026-09-07 11:52:00

交流耦合储能开关分档快讯

[置顶] 仿人机器人关节与激光驱动：GaN 该放在哪一段功率链

第三代半导体 • 2026-09-07 11:52:00

仿人机器人GaN功率链导读

[置顶] SEMI：2026Q2 全球半导体设备出货同比 +23%

行业快讯 • 2026-09-06 09:30:14

SEMI设备出货Q2快讯

[置顶] PCIM 罗姆观察：功率管与模拟外设要同一验证包

第三代半导体 • 2026-09-06 09:30:14

罗姆PCIM功率与模拟快讯

[置顶] 电抗器气隙磁通展宽：损耗与电感为何对不上台架

第三代半导体 • 2026-09-06 09:30:14

电抗器气隙磁通展宽导读

[置顶] 800V 高压连接器：CTI 为何从材料表走到前台

行业快讯 • 2026-09-04 10:49:37

高压连接器CTI快讯

[置顶] ZVS 软开关：怎样从 Coss 曲线算出 Eoss

第三代半导体 • 2026-09-04 10:49:37

软开关Eoss计算快讯

[置顶] 半桥开通电流尖峰：先查体二极管 Qrr，再改死区

第三代半导体 • 2026-09-04 10:49:37

半桥体二极管Qrr开通尖峰导读

[置顶] 读懂 MOSFET 的 RDS(on)：别只盯 25℃ 标称

第三代半导体 • 2026-09-03 11:44:22

MOSFET RDS(on)读规格书快讯

[置顶] PCIM 看储能：功率电子比电池模组更抢镜

第三代半导体 • 2026-09-03 11:44:22

PCIM储能功率电子快讯

[置顶] 开关电源变压器改绕序降漏感：单体合格为何整机批量失效

第三代半导体 • 2026-09-03 11:44:22

变压器绕序变更批量失效导读

[置顶] Cadence 超级智能体：EDA 提效不等于器件免验证

行业快讯 • 2026-09-02 10:15:31

Cadence AI EDA 快讯

[置顶] 安世恢复供货并推12英寸：成熟功率器件价格逻辑在变

第三代半导体 • 2026-09-02 10:15:31

安世12英寸与价格快讯

[置顶] 固态变压器工程验证期：功率半导体与高频磁件先卡哪？

第三代半导体 • 2026-09-02 10:15:31

SST工程验证与磁件瓶颈导读

[置顶] EV 牵引逆变器电流传感：800V 下精度与体积怎么权衡

行业快讯 • 2026-08-31 09:09:32

EV牵引逆变器电流传感快讯

[置顶] SiC MOSFET 准静态 C-V：电容测不稳会拖慢逆变打样

第三代半导体 • 2026-08-31 09:09:32

SiC C-V测量快讯

[置顶] GaN 代工洗牌下，系统厂怎么写第二货源与场景分工

第三代半导体 • 2026-08-31 09:09:32

GaN代工格局与第二货源导读

[置顶] SEMI：全球封装测试厂数据库扩容，化合物与 AI/HPC 后端被单独点名

行业快讯 • 2026-08-29 11:12:42

SEMI封装测试厂数据库快讯

[置顶] AI 数据中心电源放量：800V HVDC 正在改写机柜供电选型权重

第三代半导体 • 2026-08-29 11:12:42

AI数据中心电源与800V快讯

[置顶] 磁芯测不准，高频高功率电源就选不准：三座测试大山怎么破

第三代半导体 • 2026-08-29 11:12:42

磁芯高频高功率测试导读

[置顶] 西门子：用智能体 AI 压缩芯片与 PCB 验证闭环

行业快讯 • 2026-08-28 17:08:58

西门子智能体EDA快讯

[置顶] 2.5kW 图腾柱无桥 PFC 案例：GaN 导入要把驱动与波形写进清单

第三代半导体 • 2026-08-28 17:08:58

图腾柱GaN PFC案例快讯

[置顶] SiC 功率模块装机榜：国产份额抬头后，工程师更该盯封装与量产一致性

第三代半导体 • 2026-08-28 17:08:58

SiC功率模块TOP10导读

[置顶] 英特尔 × 蓝思：玻璃基板先进封装合作再抬热度

行业快讯 • 2026-08-27 14:27:31

英特尔蓝思玻璃基板封装快讯

[置顶] 安防变焦马达驱动：微步进与 EMI 被重新摆上验证台

行业快讯 • 2026-08-27 14:27:31

瑞盟步进驱动与EMI快讯

[置顶] 新能源重卡充换电组网：磁元件与功率器件要一起进预算

第三代半导体 • 2026-08-27 14:27:31

新能源重卡充换电与磁元件导读

[置顶] 800V 平台上的绝缘监测：干簧继电器为何仍被点名

行业快讯 • 2026-08-26 11:12:17

EV干簧继电器绝缘监测快讯

[置顶] GE Vernova 推中压 UPS：AI 工厂供电保护从低压堆叠往上走

行业快讯 • 2026-08-26 11:12:17

GE Vernova中压UPS快讯

[置顶] GaN 冲上 2200V 之后：高压母线上该怎么重新划分 SiC 与 GaN

第三代半导体 • 2026-08-26 11:12:17

GaN 2200V与SiC边界导读

[置顶] SST 不止算力侧：构网型台区储能被点名为下一增长观察点

第三代半导体 • 2026-08-25 10:59:14

SST与构网型台区储能快讯

[置顶] GaN 功率赛道：价格战与代工稀缺并行，供应链备份被重新摆上台面

第三代半导体 • 2026-08-25 10:59:14

GaN代工与竞争格局快讯

[置顶] 6G 通信电源：HVDC/SST 与图腾柱 PFC 下，SiC 与 GaN 怎么分工

第三代半导体 • 2026-08-25 10:59:14

6G通信电源与SiC/GaN分工导读

[置顶] 数字隔离器新品观察：爬电距离与集成隔离电源被一并点名

行业快讯 • 2026-08-24 10:27:42

数字隔离器爬电与隔离电源快讯

[置顶] SEMI：玻璃核心基板成为先进封装下一阶段观察点

行业快讯 • 2026-08-24 10:27:42

SEMI玻璃核心基板快讯

[置顶] 华东数字电源峰会：AI 电源、光储充与 800V 三代半被放进同一张议程

第三代半导体 • 2026-08-24 10:27:42

华东数字电源峰会导读

[置顶] 平湖实验室：8 吋 GaN-on-SiC 增强型 HEMT 工艺平台亮相

第三代半导体 • 2026-08-23 11:40:36

GaN-on-SiC 8吋工艺快讯

[置顶] 国产 8 英寸 SiC：能量产之后，下一步看良率与成本

第三代半导体 • 2026-08-23 11:40:36

国产8英寸SiC产业化快讯

[置顶] AI 数据中心转向 800V HVDC：SiC 与 GaN 各自守哪一段链路

第三代半导体 • 2026-08-23 11:40:36

800V HVDC 与 SiC/GaN 角色导读

[置顶] 桥式电路 SiC 替换超结：性能好算，驱动与布局不能省

第三代半导体 • 2026-08-21 09:20:14

桥式SiC替换超结注意点

[置顶] 650V SiC 替代超结：行业在谈成本下探，落地仍看驱动门槛

第三代半导体 • 2026-08-21 09:20:14

SiC替代超结驱动力快讯

[置顶] SEMI：2028 年全球半导体设备销售额有望达 2295 亿美元

行业快讯 • 2026-08-20 16:51:20

SEMI 设备市场预测快讯

[置顶] 阳光电源等披露多个 SiC SST 订单：算力中心与充电站加速落地

第三代半导体 • 2026-08-20 16:51:20

SiC SST 订单快讯

[置顶] 功率半导体第三波涨价：AI 800VDC 正在改写交期与选型权重

第三代半导体 • 2026-08-20 16:51:20

功率器件涨价与 800VDC 选型导读

[置顶] SEMI：2026 年二季度全球硅晶圆出货量同比增长 7.4%

行业快讯 • 2026-08-19 08:05:52

SEMI 2026Q2 硅晶圆出货快讯

[置顶] PI 推出 2200V PowiGaN：高压母线时代的 GaN 电压天花板又抬高了

第三代半导体 • 2026-08-19 08:05:52

PI 2200V GaN 技术快讯摘要

[置顶] 2026 功率半导体路线：SiC、GaN 与先进封装如何分流

第三代半导体 • 2026-08-19 08:05:52

SiC/GaN/封装三分天下路线导读

[置顶] COSINE一级代理商嘉威创盈｜COSINE 替代选型表：5 款运放/电源对标 ADI/TI/Microchip

国产替代方案 • 2026-07-20 15:30:43

COSINE五款替代选型表

第三代半导体和硅基器件有何区别？SiC与GaN场景适配

第三代半导体 • 2026-06-18 11:56:42

第三代半导体是指基于碳化硅（SiC）和氮化镓（GaN）等宽禁带半导体材料制造的功率器件，与传统硅（Si）基半导体相比，它们在高压、高频、高温工作场景下具备更优的电气性能。SiC的禁带宽度为3.26eV

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